GaAs/AlAs半導体多重量子井戸の光学的評価に関する研究

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著者

    • 松本, 敏幸 マツモト, トシユキ

書誌事項

タイトル

GaAs/AlAs半導体多重量子井戸の光学的評価に関する研究

著者名

松本, 敏幸

著者別名

マツモト, トシユキ

学位授与大学

徳島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第805号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 論文内容要旨 / (0002.jp2)
  3. 目次 / p1 (0006.jp2)
  4. 第I章 序論 / p1 (0007.jp2)
  5. 1-1 背景・概論 / p1 (0007.jp2)
  6. 1-2 本研究の意義・構成 / p3 (0008.jp2)
  7. 参考文献 / p5 (0009.jp2)
  8. 第II章 全反射減衰(ATR)法による多重量子井戸(MQW)の理論的評価 / p6 (0009.jp2)
  9. 2-1 はじめに / p6 (0009.jp2)
  10. 2-2 全反射減衰(ATR)法 / p6 (0009.jp2)
  11. 2-3 多重量子井戸(MQW)に対する全反射減衰(ATR)信号の理論計算 / p11 (0012.jp2)
  12. 2-4 不純物ドープMQW試料に対するATR信号の理論計算 / p18 (0015.jp2)
  13. 2-5 まとめ / p31 (0022.jp2)
  14. 参考文献 / p32 (0022.jp2)
  15. 第III章 全反射減衰(ATR)法によるSiドープ多重量子井戸(MQW)試料の評価 / p33 (0023.jp2)
  16. 3-1 はじめに / p33 (0023.jp2)
  17. 3-2 GaAs/AlAs多重量子井戸・超格子試料 / p33 (0023.jp2)
  18. 3-3 多重量子井戸(MQW)・超格子(SL)の光学的特性 / p34 (0023.jp2)
  19. 3-4 全反射減衰(ATR)法によるMQW試料測定 / p38 (0025.jp2)
  20. 3-5 SiドープGaAs/AlAsMQWに対する実験結果の解析 / p39 (0026.jp2)
  21. 3-6 まとめ / p43 (0028.jp2)
  22. 参考文献 / p44 (0028.jp2)
  23. 第IV章 ラマン散乱分光法による多重量子井戸(MQW)試料の評価 / p45 (0029.jp2)
  24. 4-1 はじめに / p45 (0029.jp2)
  25. 4-2 ラマン散乱分光法 / p45 (0029.jp2)
  26. 4-3 LOフォノン-サブバンド間励起結合モード / p50 (0031.jp2)
  27. 4-4 ラマン散乱分光法によるMQW測定 / p53 (0033.jp2)
  28. 4-5 レーザラマン分光法によるLOフォノン-サブバンド間励起結合モードの観測と評価 / p56 (0034.jp2)
  29. 4-6 ラマンスペクトルの温度依存性の観測及び解析 / p59 (0036.jp2)
  30. 4-7 まとめ / p64 (0038.jp2)
  31. 参考文献 / p66 (0039.jp2)
  32. 第V章 結論 / p67 (0040.jp2)
  33. 謝辞 / p69 (0041.jp2)
  34. 業績 / p70 (0041.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130132
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000953910
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000294446
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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