スパッタリング法によるBi系高温超伝導酸化物のエピタキシャル成長に関する研究 スパッタリングホウ ニヨル Biケイ コウオンチョウデンドウ サンカブツ ノ エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
スパッタリング法によるBi系高温超伝導酸化物のエピタキシャル成長に関する研究
- Other Title
-
スパッタリングホウ ニヨル Biケイ コウオンチョウデンドウ サンカブツ ノ エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
- Author
-
毛利, 存
- Author(Another name)
-
モウリ, ゾン
- University
-
大阪大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第5580号
- Degree year
-
1996-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1.本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1-2.本研究の目的 / p4 (0007.jp2)
- 1-3.本論文の構成 / p6 (0008.jp2)
- 参考文献 / p7 (0008.jp2)
- 第2章 酸化物超伝導体のエピタキシャル成長について / p9 (0009.jp2)
- 2-1.酸化物超伝導薄膜の結晶成長機構 / p9 (0009.jp2)
- 2-2.薄膜作製時に重要となる種々のパラメータ / p15 (0012.jp2)
- 2-3.薄膜の作製方法 / p22 (0016.jp2)
- 2-4.まとめ / p31 (0020.jp2)
- 参考文献 / p32 (0021.jp2)
- 第3章 直流マグネトロンスパッタ法によるBi系酸化物超伝導薄膜の作製 / p34 (0022.jp2)
- 3-1.直流マグネトロンスパッタ装置の構成 / p34 (0022.jp2)
- 3-2.生成膜の評価と分析 / p37 (0023.jp2)
- 3-3.まとめ / p47 (0028.jp2)
- 参考文献 / p48 (0029.jp2)
- 第4章 イオンビームスパッタによるBi系酸化物超伝導薄膜の作製 / p50 (0030.jp2)
- 4-1.イオンビームスパッタ成膜装置の構成 / p50 (0030.jp2)
- 4-2.共蒸着によるBSCCO薄膜の作製 / p55 (0032.jp2)
- 4-3.逐次蒸着によるBSCCO薄膜の作製 / p59 (0034.jp2)
- 4-4.まとめ / p66 (0038.jp2)
- 参考文献 / p68 (0039.jp2)
- 第5章 イオンビームスパッタ法で作製したBi系超伝導酸化物薄膜の相安定領域 / p70 (0040.jp2)
- 5-1.実験方法 / p70 (0040.jp2)
- 5-2.薄膜作製条件 / p71 (0040.jp2)
- 5-3.生成膜の評価～Bi2212組成による成膜 / p71 (0040.jp2)
- 5-4.生成膜の評価II～Bi2223組成での成膜 / p80 (0045.jp2)
- 5-5.基板温度､ガス圧一定条件下でのBi系超伝導相の生成相図 / p83 (0046.jp2)
- 5-6.BSCCO薄膜の相安定領域に関する考察 / p85 (0047.jp2)
- 5-7.まとめ / p97 (0053.jp2)
- 参考文献 / p98 (0054.jp2)
- 第6章 結論 / p101 (0055.jp2)
- 6-1.まとめ / p101 (0055.jp2)
- 6-2.結論 / p103 (0056.jp2)
- 6-2.結言 / p104 (0057.jp2)
- 謝辞 / p105 (0057.jp2)
- 研究業績目録 / p106 (0058.jp2)