微細半導体素子のデバイスシミュレーションに関する研究

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著者

    • 園田, 賢一郎 ソノダ, ケンイチロウ

書誌事項

タイトル

微細半導体素子のデバイスシミュレーションに関する研究

著者名

園田, 賢一郎

著者別名

ソノダ, ケンイチロウ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5599号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

14401甲第05599号

博士(工学)

大阪大学

1996-03-25

12496

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 研究の目的 / p3 (0006.jp2)
  5. 2 デバイスシミュレーションの基本方程式 / p8 (0009.jp2)
  6. 2.1 はじめに / p8 (0009.jp2)
  7. 2.2 キャリア輸送の基本方程式 / p8 (0009.jp2)
  8. 2.3 電磁界の基本方程式 / p10 (0010.jp2)
  9. 2.4 まとめ / p12 (0011.jp2)
  10. 3 Boltzmann 輸送方程式の解法 / p14 (0012.jp2)
  11. 3.1 はじめに / p14 (0012.jp2)
  12. 3.2 モンテカルロ法 / p14 (0012.jp2)
  13. 3.3 モーメント法 / p17 (0013.jp2)
  14. 3.4 まとめ / p26 (0018.jp2)
  15. 4 モーメント法の数値解法 / p30 (0020.jp2)
  16. 4.1 はじめに / p30 (0020.jp2)
  17. 4.2 コントロールボリューム法による離散化 / p30 (0020.jp2)
  18. 4.3 基本方程式の規格化 / p35 (0022.jp2)
  19. 4.4 Poisson方程式の離散化 / p35 (0022.jp2)
  20. 4.5 モーメント保存方程式の離散化 / p36 (0023.jp2)
  21. 4.6 方程式による物理量補間の相違 / p40 (0025.jp2)
  22. 4.7 まとめ / p41 (0025.jp2)
  23. 5 擬2次元モデルの特性長を用いたインパクトイオン化のモデル化 / p43 (0026.jp2)
  24. 5.1 はじめに / p43 (0026.jp2)
  25. 5.2 擬2次元モデル / p43 (0026.jp2)
  26. 5.3 擬2次元モデルの特性長を用いたインパクトイオン化モデル / p44 (0027.jp2)
  27. 5.4 n-MOSFETの基板電流モデル / p49 (0029.jp2)
  28. 5.5 まとめ / p58 (0034.jp2)
  29. 6 分布関数のモーメントを用いたインパクトイオン化のモデル化 / p62 (0036.jp2)
  30. 6.1 はじめに / p62 (0036.jp2)
  31. 6.2 局所エネルギーモデルの限界 / p62 (0036.jp2)
  32. 6.3 分布関数とエントロピー / p66 (0038.jp2)
  33. 6.4 高電界中での電子の分布関数モデル / p68 (0039.jp2)
  34. 6.5 モーメントを用いたインパクトイオン化モデル / p74 (0042.jp2)
  35. 6.6 エネルギー輸送モデルに基づくデバイスシミュレーションへの適用 / p85 (0047.jp2)
  36. 6.7 計算結果 / p90 (0050.jp2)
  37. 6.8 まとめ / p94 (0052.jp2)
  38. 7 結論 / p98 (0054.jp2)
  39. A エネルギー分布関数のパラメータa₀,a₁,a₂を数値計算で求める方法 / p100 (0055.jp2)
  40. 謝辞 / p101 (0055.jp2)
  41. 研究業績 / p102 (0056.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130491
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954246
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000294805
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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