極薄ゲート酸化膜MOSFETにおけるホットキャリア効果に関する研究 ゴクハク ゲート サンカマク MOSFET ニ オケル ホットキャリア コウカ ニ カンスル ケンキュウ

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著者

    • 松岡, 俊匡 マツオカ, トシマサ

書誌事項

タイトル

極薄ゲート酸化膜MOSFETにおけるホットキャリア効果に関する研究

タイトル別名

ゴクハク ゲート サンカマク MOSFET ニ オケル ホットキャリア コウカ ニ カンスル ケンキュウ

著者名

松岡, 俊匡

著者別名

マツオカ, トシマサ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5602号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

12499

博士(工学)

1996-03-25

大阪大学

14401甲第05602号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1 序論 / p3 (0004.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p3 (0004.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p7 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の内容 / p8 (0007.jp2)
  6. 2 MOSFETの速度飽和領域長のゲート酸化膜厚依存性 / p13 (0009.jp2)
  7. 2.1 序 / p13 (0009.jp2)
  8. 2.2 MOSFETの速度飽和領域長のゲート酸化膜厚依存性 / p13 (0009.jp2)
  9. 2.3 擬2次元モデルとの比較 / p16 (0011.jp2)
  10. 2.4 速度飽和電界のユニバーサル性 / p20 (0013.jp2)
  11. 2.5 結言 / p20 (0013.jp2)
  12. 3 Fowler-Nordheim注入ストレスにおけるMOS界面劣化特性 / p25 (0015.jp2)
  13. 3.1 序 / p25 (0015.jp2)
  14. 3.2 実験 / p26 (0016.jp2)
  15. 3.3 Fowler-Nordheim注入ストレスにおける界面劣化のストレス極性依存性 / p27 (0016.jp2)
  16. 3.4 酸化膜中の捕獲中心の電荷捕獲・放出特性 / p29 (0017.jp2)
  17. 3.5 反転電子移動度のホットキャリア劣化の解析 / p35 (0020.jp2)
  18. 3.6 結言 / p39 (0022.jp2)
  19. 付録 反転電子移動度の劣化の理論計算 / p39 (0022.jp2)
  20. 4 ゲート酸化膜のN₂O酸窒化によるホットキャリア劣化への影響 / p43 (0024.jp2)
  21. 4.1 序 / p43 (0024.jp2)
  22. 4.2 実験 / p43 (0024.jp2)
  23. 4.3 NMOSFETにおけるN₂O酸窒化によるホットキャリア劣化の抑制 / p44 (0025.jp2)
  24. 4.4 表面チャネルPMOSFETにおけるN₂O酸窒化のホットキャリア劣化への影響 / p56 (0031.jp2)
  25. 4.5 N₂O酸窒化のSi/SiO₂エネルギー障壁への影響 / p63 (0034.jp2)
  26. 4.6 結言 / p68 (0037.jp2)
  27. 付録2ステップ・界面準位生成モデル / p68 (0037.jp2)
  28. 5 ゲート酸化膜のN₂O酸窒化による絶縁破壊特性への影響 / p75 (0040.jp2)
  29. 5.1 序 / p75 (0040.jp2)
  30. 5.2 実験 / p75 (0040.jp2)
  31. 5.3 N₂O酸窒化の絶縁破壊特性への影響 / p76 (0041.jp2)
  32. 5.4 絶縁破壊特性の膜厚依存性 / p78 (0042.jp2)
  33. 5.5 N₂O酸窒化のキャリア捕獲特性への影響 / p82 (0044.jp2)
  34. 5.6 定電流絶縁破壊のストレス電流密度依存性 / p84 (0045.jp2)
  35. 5.7 結言 / p85 (0045.jp2)
  36. 6 直接トンネリング・ゲート酸窒化膜MOSFETの特性 / p87 (0046.jp2)
  37. 6.1 序 / p87 (0046.jp2)
  38. 6.2 直接トンネリング・ゲート酸窒化膜MOSFET / p87 (0046.jp2)
  39. 6.3 直接トンネリング・ゲート酸窒化膜MOSFETのホットキャリア効果 / p93 (0049.jp2)
  40. 6.4 直接トンネリング・ゲート酸窒化膜MOSFETのゲート・リーク / p93 (0049.jp2)
  41. 6.5 結言 / p98 (0052.jp2)
  42. 7 結論 / p101 (0053.jp2)
  43. 研究業績 / p103 (0054.jp2)
  44. 謝辞 / p107 (0056.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130494
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954249
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000294808
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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