極薄ゲート酸化膜MOSFETにおけるホットキャリア効果に関する研究 ゴクハク ゲート サンカマク MOSFET ニ オケル ホットキャリア コウカ ニ カンスル ケンキュウ
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著者
書誌事項
- タイトル
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極薄ゲート酸化膜MOSFETにおけるホットキャリア効果に関する研究
- タイトル別名
-
ゴクハク ゲート サンカマク MOSFET ニ オケル ホットキャリア コウカ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者名
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松岡, 俊匡
- 著者別名
-
マツオカ, トシマサ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第5602号
- 学位授与年月日
-
1996-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 1 序論 / p3 (0004.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p3 (0004.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p7 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の内容 / p8 (0007.jp2)
- 2 MOSFETの速度飽和領域長のゲート酸化膜厚依存性 / p13 (0009.jp2)
- 2.1 序 / p13 (0009.jp2)
- 2.2 MOSFETの速度飽和領域長のゲート酸化膜厚依存性 / p13 (0009.jp2)
- 2.3 擬2次元モデルとの比較 / p16 (0011.jp2)
- 2.4 速度飽和電界のユニバーサル性 / p20 (0013.jp2)
- 2.5 結言 / p20 (0013.jp2)
- 3 Fowler-Nordheim注入ストレスにおけるMOS界面劣化特性 / p25 (0015.jp2)
- 3.1 序 / p25 (0015.jp2)
- 3.2 実験 / p26 (0016.jp2)
- 3.3 Fowler-Nordheim注入ストレスにおける界面劣化のストレス極性依存性 / p27 (0016.jp2)
- 3.4 酸化膜中の捕獲中心の電荷捕獲･放出特性 / p29 (0017.jp2)
- 3.5 反転電子移動度のホットキャリア劣化の解析 / p35 (0020.jp2)
- 3.6 結言 / p39 (0022.jp2)
- 付録 反転電子移動度の劣化の理論計算 / p39 (0022.jp2)
- 4 ゲート酸化膜のN₂O酸窒化によるホットキャリア劣化への影響 / p43 (0024.jp2)
- 4.1 序 / p43 (0024.jp2)
- 4.2 実験 / p43 (0024.jp2)
- 4.3 NMOSFETにおけるN₂O酸窒化によるホットキャリア劣化の抑制 / p44 (0025.jp2)
- 4.4 表面チャネルPMOSFETにおけるN₂O酸窒化のホットキャリア劣化への影響 / p56 (0031.jp2)
- 4.5 N₂O酸窒化のSi/SiO₂エネルギー障壁への影響 / p63 (0034.jp2)
- 4.6 結言 / p68 (0037.jp2)
- 付録2ステップ･界面準位生成モデル / p68 (0037.jp2)
- 5 ゲート酸化膜のN₂O酸窒化による絶縁破壊特性への影響 / p75 (0040.jp2)
- 5.1 序 / p75 (0040.jp2)
- 5.2 実験 / p75 (0040.jp2)
- 5.3 N₂O酸窒化の絶縁破壊特性への影響 / p76 (0041.jp2)
- 5.4 絶縁破壊特性の膜厚依存性 / p78 (0042.jp2)
- 5.5 N₂O酸窒化のキャリア捕獲特性への影響 / p82 (0044.jp2)
- 5.6 定電流絶縁破壊のストレス電流密度依存性 / p84 (0045.jp2)
- 5.7 結言 / p85 (0045.jp2)
- 6 直接トンネリング･ゲート酸窒化膜MOSFETの特性 / p87 (0046.jp2)
- 6.1 序 / p87 (0046.jp2)
- 6.2 直接トンネリング･ゲート酸窒化膜MOSFET / p87 (0046.jp2)
- 6.3 直接トンネリング･ゲート酸窒化膜MOSFETのホットキャリア効果 / p93 (0049.jp2)
- 6.4 直接トンネリング･ゲート酸窒化膜MOSFETのゲート･リーク / p93 (0049.jp2)
- 6.5 結言 / p98 (0052.jp2)
- 7 結論 / p101 (0053.jp2)
- 研究業績 / p103 (0054.jp2)
- 謝辞 / p107 (0056.jp2)
