移動体通信用半導体デバイスおよび回路に関する研究

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著者

    • 宮辻, 和郎 ミヤツジ, カズオ

書誌事項

タイトル

移動体通信用半導体デバイスおよび回路に関する研究

著者名

宮辻, 和郎

著者別名

ミヤツジ, カズオ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5603号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

12500

博士(工学)

1996-03-25

大阪大学

14401甲第05603号

目次

  1. 目次 / (0006.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 第2章 SiGe/Siヘテロ界面の電気伝導 / p6 (0010.jp2)
  4. 2-1 はじめに / p6 (0010.jp2)
  5. 2-2 応力によるSiのバンド構造の変化 / p7 (0010.jp2)
  6. 2-3 解析式による低電界移動度の計算 / p10 (0012.jp2)
  7. 2-4 モンテカルロ・シミュレーションによる高電界ドリフト速度の計算 / p13 (0013.jp2)
  8. 2-5 まとめ / p18 (0016.jp2)
  9. 第3章 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波歪み特性 / p20 (0017.jp2)
  10. 3-1 はじめに / p20 (0017.jp2)
  11. 3-2 GaAs MESFETの表面準位による周波数分散 / p21 (0017.jp2)
  12. 3-3 Vgs-Id特性の高周波領域での抽出 / p23 (0018.jp2)
  13. 3-4 相互変調歪みのシミュレーション / p25 (0019.jp2)
  14. 3-5 トレイン電流の周波数分散の温度依存性 / p28 (0021.jp2)
  15. 3-6 表面パッシベーション膜による周波数分散の比較 / p31 (0022.jp2)
  16. 3-7 まとめ / p33 (0023.jp2)
  17. 第4章 大電力GaAsRFスイッチIC / p35 (0024.jp2)
  18. 4-1 はじめに / p35 (0024.jp2)
  19. 4-2 従来方式のGaAsFETスイッチ回路 / p36 (0025.jp2)
  20. 4-3 大電力化GaAsスイッチICの基本回路の構成と動作 / p40 (0027.jp2)
  21. 4-4 大電力化SPDTスイッチICの試作 / p43 (0028.jp2)
  22. 4-5 試作結果 / p48 (0031.jp2)
  23. 4-6 まとめ / p54 (0034.jp2)
  24. 第5章 単一正電圧制御GaAsRFスイッチIC / p56 (0035.jp2)
  25. 5-1 はじめに / p56 (0035.jp2)
  26. 5-2 単一正電圧制御のための回路方式 / p57 (0035.jp2)
  27. 5-3 単一正電圧制御SPDTスイッチの試作 / p62 (0038.jp2)
  28. 5-4 試作結果 / p65 (0039.jp2)
  29. 5-5 まとめ / p66 (0040.jp2)
  30. 第6章 GaAs可変アッテネータの低歪化 / p68 (0041.jp2)
  31. 6-1 はじめに / p68 (0041.jp2)
  32. 6-2 GaAs可変アッテネータ回路の設計 / p69 (0041.jp2)
  33. 6-3 試作結果 / p74 (0044.jp2)
  34. 6-4 まとめ / p78 (0046.jp2)
  35. 第7章 結論 / p80 (0047.jp2)
  36. 謝辞 / p83 (0048.jp2)
  37. 研究業績 / p84 (0049.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130495
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954250
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000294809
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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