界面構造観察のための新しいイオン散乱装置の試作に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
界面構造観察のための新しいイオン散乱装置の試作に関する研究
- Author
-
川本, 清
- Author(Another name)
-
カワモト, キヨシ
- University
-
大阪大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第5604号
- Degree year
-
1996-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 実空間での表面界面観察の意義 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 低速イオン散乱法の発展と問題点 / p3 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の目的と論文の構成 / p6 (0008.jp2)
- 第2章 低速イオン散乱法による表面構造の研究 / p10 (0010.jp2)
- 2.1 緒言 / p10 (0010.jp2)
- 2.2 低速イオン散乱の基礎事項 / p10 (0010.jp2)
- 2.3 低速イオン散乱法における構造解析の方法 / p16 (0013.jp2)
- 2.4 結言 / p23 (0016.jp2)
- 第3章 低速イオン散乱による界面観察のための考察 / p24 (0017.jp2)
- 3.1 緒言 / p24 (0017.jp2)
- 3.2 加速エネルギーの選択 / p24 (0017.jp2)
- 3.3 セルフブロッキング効果の検討 / p28 (0019.jp2)
- 3.4 結言 / p33 (0021.jp2)
- 第4章 実験装置と実験方法 / p34 (0022.jp2)
- 4.1 緒言 / p34 (0022.jp2)
- 4.2 低速イオン散乱装置および測定用超高真空槽 / p34 (0022.jp2)
- 4.3 飛行時間測定法 / p39 (0024.jp2)
- 4.4 シングルチャネル測定法 / p40 (0025.jp2)
- 4.5 結言 / p41 (0025.jp2)
- 第5章 Si(001)の観察 / p42 (0026.jp2)
- 5.1 緒言 / p42 (0026.jp2)
- 5.2 入射角依存性 / p42 (0026.jp2)
- 5.3 定量に関する考察 / p44 (0027.jp2)
- 5.4 シャドーコーン半径に関する考察 / p48 (0029.jp2)
- 5.5 結言 / p49 (0029.jp2)
- 第6章 a-Si/Ag/Si(111)界面の観察 / p51 (0030.jp2)
- 6.1 緒言 / p51 (0030.jp2)
- 6.2 ランダムな蒸着膜によるフォーカシング効果 / p51 (0030.jp2)
- 6.3 Ag原子の蒸着膜中への拡散 / p56 (0033.jp2)
- 6.5 多重散乱信号の表面構造依存性 / p58 (0034.jp2)
- 6.5 結言 / p60 (0035.jp2)
- 第7章 Si/Si(001)表面でのSi固相成長の観察 / p61 (0035.jp2)
- 7.1 緒言 / p61 (0035.jp2)
- 7.2 散乱収量の入射方位変化 / p61 (0035.jp2)
- 7.3 Si(001)表面上のアモルファスSi膜の昇温による固相成長の観察 / p63 (0036.jp2)
- 7.4 結言 / p67 (0038.jp2)
- 第8章 総括 / p68 (0039.jp2)
- 謝辞 / p71 (0040.jp2)
- 参考文献 / p72 (0041.jp2)
- 研究業績 / p78 (0044.jp2)
