半導体微細構造における量子輸送現象の研究

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著者

    • 坂本, 利司 サカモト, トシツグ

書誌事項

タイトル

半導体微細構造における量子輸送現象の研究

著者名

坂本, 利司

著者別名

サカモト, トシツグ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6818号

学位授与年月日

1996-01-30

注記・抄録

博士論文

12219

博士(工学)

1996-01-30

大阪大学

14401乙第06818号

目次

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 内容梗概 / p1 (0003.jp2)
  3. 1.序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.1.研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  5. 1.2.本研究の目的 / p4 (0008.jp2)
  6. 1.3.本論文の構成 / p4 (0008.jp2)
  7. 2.素子の作製と測定方法 / p9 (0010.jp2)
  8. 2.1.緒言 / p9 (0010.jp2)
  9. 2.2. 2次元電子ガス / p9 (0010.jp2)
  10. 2.3.素子の作製 / p14 (0013.jp2)
  11. 2.4.測定方法 / p17 (0014.jp2)
  12. 3.メソスコピック領域でのバリスティック伝導 / p23 (0017.jp2)
  13. 3.1.緒言 / p23 (0017.jp2)
  14. 3.2.バリスティック電子と光波との類似性 / p23 (0017.jp2)
  15. 3.3.バリスティック電子の加算則 / p27 (0019.jp2)
  16. 3.4.バリスティック電子を用いた多入力素子 / p31 (0021.jp2)
  17. 3.5.結言 / p34 (0023.jp2)
  18. 4.単一電子トンネル現象 / p37 (0024.jp2)
  19. 4.1.緒言 / p37 (0024.jp2)
  20. 4.2. 1つのドット介した単一電子トンネル / p39 (0025.jp2)
  21. 4.3.直列ドットにおける単一電子トンネル / p47 (0029.jp2)
  22. 4.4.強磁場における単一電子トンネル / p56 (0034.jp2)
  23. 4.5.結言 / p63 (0037.jp2)
  24. 5.半導体微細構造中の電荷トラップ / p67 (0039.jp2)
  25. 5.1.緒言 / p67 (0039.jp2)
  26. 5.2. 1次元細線中の単電子トラップ / p68 (0040.jp2)
  27. 5.3. GaAs/AlGaAs単一電子トランジスター中のトラップ / p80 (0046.jp2)
  28. 5.4. シリコン微細構造におけるトラップ / p88 (0050.jp2)
  29. 5.5.結言 / p93 (0052.jp2)
  30. 6.結論 / p97 (0054.jp2)
  31. 謝辞 / p99 (0055.jp2)
  32. 研究業績 / p101 (0056.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130579
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954327
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000294893
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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