低温プロセスポリSiTFTの開発とその液晶表示素子への応用に関する研究

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著者

    • 結城, 正記 ユウキ, マサノリ

書誌事項

タイトル

低温プロセスポリSiTFTの開発とその液晶表示素子への応用に関する研究

著者名

結城, 正記

著者別名

ユウキ, マサノリ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6821号

学位授与年月日

1996-01-30

注記・抄録

博士論文

12222

博士(工学)

1996-01-30

大阪大学

14401乙第06821号

目次

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景---情報化社会と液晶表示素子 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的と意義 / p6 (0008.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成と概要 / p15 (0012.jp2)
  6. 参考文献 / p19 (0014.jp2)
  7. 第2章 低温プロセスポリSiTFTの開発 / p21 (0015.jp2)
  8. 2.1 レーザーア二ールによるアモルファスSiの低温結晶化 / p21 (0015.jp2)
  9. 2.2 低温プロセスポリSiTFTの作製とTFT特性 / p27 (0018.jp2)
  10. 2.3 ポリSiTFT液晶表示素子の作製と表示特性 / p31 (0020.jp2)
  11. 2.4 まとめ / p34 (0022.jp2)
  12. 参考文献 / p35 (0022.jp2)
  13. 第3章 低温プロセスポリSiTFTのセルフアライン化 / p37 (0023.jp2)
  14. 3.1 TFTセルフアライン化の重要性 / p37 (0023.jp2)
  15. 3.2 大口径イオンフラックスドーピング / p39 (0024.jp2)
  16. 3.3 セルフアラインポリSiTFTの作製とTFT特性 / p43 (0026.jp2)
  17. 3.4 TFT-LCDの光学特性とTFT寄生容量の評価 / p47 (0028.jp2)
  18. 3.5 まとめ / p52 (0031.jp2)
  19. 参考文献 / p54 (0032.jp2)
  20. 第4章 低温プロセスポリSiTFTのCMOS化 / p56 (0033.jp2)
  21. 4.1 ポリSiTFTのCMOS化の意義 / p56 (0033.jp2)
  22. 4.2 イオンフラックスドープ法によるP型ドーピング / p58 (0034.jp2)
  23. 4.3 CMOS化に適合したゲート絶縁膜の検討 / p60 (0035.jp2)
  24. 4.4 レーザー結晶化後のアフターア二ールの検討 / p62 (0036.jp2)
  25. 4.5 出発膜としてのLPCVDアモルファスSiの検討 / p64 (0037.jp2)
  26. 4.6 CMOS TFTの作製と特性 / p66 (0038.jp2)
  27. 4.7 まとめ / p71 (0040.jp2)
  28. 参考文献 / p72 (0041.jp2)
  29. 第5章 TFT-LCPCによる高輝度プロジェクタの開発 / p74 (0042.jp2)
  30. 5.1 液晶プロジェクタの構成と特性 / p74 (0042.jp2)
  31. 5.2 LCPCの光散乱透過特性と投射光学システム / p77 (0043.jp2)
  32. 5.3 ポリSiTFT-LCPCライトバルブの作製 / p84 (0047.jp2)
  33. 5.4 フルカラービデオプロジェクタの作製と表示特性 / p87 (0048.jp2)
  34. 5.5 まとめ / p89 (0049.jp2)
  35. 参考文献 / p90 (0050.jp2)
  36. 第6章 結論 / p92 (0051.jp2)
  37. 謝辞 / p96 (0053.jp2)
  38. 研究発表目録 / p98 (0054.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130582
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954330
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000294896
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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