酸化物超電導体BaKBiOのエピタキシャル成長とその評価に関する研究

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著者

    • 井寄, 将博 イヨリ, マサヒロ

書誌事項

タイトル

酸化物超電導体BaKBiOのエピタキシャル成長とその評価に関する研究

著者名

井寄, 将博

著者別名

イヨリ, マサヒロ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6856号

学位授与年月日

1996-02-22

注記・抄録

博士論文

14401乙第06856号

博士(工学)

大阪大学

1996-02-22

12259

目次

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-2 酸化物超電導体薄膜化研究の現状 / p5 (0008.jp2)
  5. 1-3 BKBO酸化物超電導体を用いたデバイス研究の意義と課題 / p6 (0009.jp2)
  6. 1-4 本論文の構成 / p8 (0010.jp2)
  7. 参考文献 / p8 (0010.jp2)
  8. 第2章 BKBO酸化物超電導薄膜の作製と評価 / p11 (0011.jp2)
  9. 2-1 緒言 / p11 (0011.jp2)
  10. 2-2 酸素ラジカルの効果 / p11 (0011.jp2)
  11. 2-3 反応性マグネトロンスパッタ法によるBKBO薄膜の作製 / p16 (0014.jp2)
  12. 2-4 反応性高圧スパッタ法によるBKBO薄膜の組成制御 / p28 (0020.jp2)
  13. 2-5 結言 / p40 (0026.jp2)
  14. 参考文献 / p41 (0026.jp2)
  15. 第3章 BKBO酸化物超電導薄膜の物性評価 / p43 (0027.jp2)
  16. 3-1 緒言 / p43 (0027.jp2)
  17. 3-2 BKBOエピタキシャル薄膜の結晶性評価 / p43 (0027.jp2)
  18. 3-3 BKBOエピタキシャル薄膜の超電導特性の評価 / p48 (0030.jp2)
  19. 3-4 BKBOエピタキシャル薄膜の表面解析 / p49 (0030.jp2)
  20. 3-5 結言 / p69 (0040.jp2)
  21. 参考文献 / p70 (0041.jp2)
  22. 第4章 BKBO薄膜を用いた簡単な機能デバイス応用 / p71 (0041.jp2)
  23. 4-1 緒言 / p71 (0041.jp2)
  24. 4-2 平面型接合素子への応用 / p71 (0041.jp2)
  25. 4-3 結言 / p83 (0047.jp2)
  26. 参考文献 / p83 (0047.jp2)
  27. 第5章 結論 / p85 (0048.jp2)
  28. 付録 BKBO薄膜を用いた積層型トンネル接合の作製 / p87 (0049.jp2)
  29. 付-1 MgO/BKBOヘテロエピタキシャル構造の作製と評価 / p87 (0049.jp2)
  30. 付-2 BKBO/MgO/Auトンネル接合の作製と評価 / p89 (0050.jp2)
  31. 付-3 MgO人工障壁の特性評価 / p93 (0052.jp2)
  32. 謝辞 / p96 (0054.jp2)
  33. 研究業績目録 / p97 (0054.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130617
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954365
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000294931
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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