【12/14(木)17時より】CiNiiの常時SSL化(HTTPS接続)について

GaAs電界効果トランジスタの高周波特性および雑音特性の向上に関する研究 GaAs デンカイ コウカ トランジスタ ノ コウシュウハ トクセイ オヨビ ザツオン トクセイ ノ コウジョウ ニカンスル ケンキュウ

この論文をさがす

著者

    • 中島, 成 ナカジマ, シゲル

書誌事項

タイトル

GaAs電界効果トランジスタの高周波特性および雑音特性の向上に関する研究

タイトル別名

GaAs デンカイ コウカ トランジスタ ノ コウシュウハ トクセイ オヨビ ザツオン トクセイ ノ コウジョウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

中島, 成

著者別名

ナカジマ, シゲル

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6879号

学位授与年月日

1996-03-05

注記・抄録

博士論文

14401乙第06879号

博士(工学)

大阪大学

1996-03-05

12282

目次

  1. 内容要旨 / p1 (0003.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  4. 1-1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  5. 1-2 本研究の目的 / p4 (0008.jp2)
  6. 1-3 本論文の構成 / p6 (0009.jp2)
  7. 1-4 参考文献 / p8 (0010.jp2)
  8. 第2章 ダミーゲート法による自己整合型MESFETの作製 / p11 (0012.jp2)
  9. 2-1 諸言 / p11 (0012.jp2)
  10. 2-2 GaAs MESFETの構造と動作原理 / p12 (0012.jp2)
  11. 2-3 寄生抵抗低減のための構造 / p14 (0013.jp2)
  12. 2-4 生産性、制御性に優れた自己整合プロセス / p19 (0016.jp2)
  13. 2-5 MESFET作製プロセス / p24 (0018.jp2)
  14. 2-6 結言 / p29 (0021.jp2)
  15. 2-7 参考文献 / p30 (0021.jp2)
  16. 第3章 短チャンネル効果の抑制 / p34 (0023.jp2)
  17. 3-1 緒言 / p34 (0023.jp2)
  18. 3-2 短チャンネル効果とは / p34 (0023.jp2)
  19. 3-3 パルスドープ構造による短チャンネル効果の抑制 / p37 (0025.jp2)
  20. 3-4 新LDD構造による短チャンネル効果の抑制 / p48 (0030.jp2)
  21. 3-5.結言 / p55 (0034.jp2)
  22. 3-6.参考文献 / p57 (0035.jp2)
  23. 第4章 パルスドープ構造による電子輸送特性の改善 / p60 (0036.jp2)
  24. 4-1 緒言 / p60 (0036.jp2)
  25. 4-2 高濃度薄層半導体におけるバンド構造 / p61 (0037.jp2)
  26. 4-3 半導体中の電子移動度と飽和速度 / p66 (0039.jp2)
  27. 4-4 ダブルパルスドープ構造による電子輸送特性の改善 / p73 (0043.jp2)
  28. 4-5 結言 / p78 (0045.jp2)
  29. 4-6 参考文献 / p80 (0046.jp2)
  30. 第5章 GaAs MESFETの高速、高周波特性 / p84 (0048.jp2)
  31. 5-1 緒言 / p84 (0048.jp2)
  32. 5-2 素子の高速動作、高周波特性を表す指標 / p84 (0048.jp2)
  33. 5-3 素子の評価技術 / p87 (0050.jp2)
  34. 5-4 素子の評価結果 / p89 (0051.jp2)
  35. 5-5 サブ0.25μm以下での特性解析 / p96 (0054.jp2)
  36. 5-6 電子速度のオーバシュート効果 / p102 (0057.jp2)
  37. 5-7 高速化、高周波化への方針 / p103 (0058.jp2)
  38. 5-8 結言 / p106 (0059.jp2)
  39. 5-9 参考文献 / p107 (0060.jp2)
  40. 第6章 GaAs MESFETの雑音特性 / p112 (0062.jp2)
  41. 6-1 緒言 / p112 (0062.jp2)
  42. 6-2 雑音指数とは / p113 (0063.jp2)
  43. 6-3 雑音指数の評価方法 / p120 (0066.jp2)
  44. 6-4 パルスドープ構造による低雑音化 / p122 (0067.jp2)
  45. 6-5 12GHz帯低雑音MMICへの応用 / p128 (0070.jp2)
  46. 6-6 低雑音化への方針 / p130 (0071.jp2)
  47. 6-7 結言 / p132 (0072.jp2)
  48. 6-8 参考文献 / p134 (0073.jp2)
  49. 第7章 結論 / p140 (0076.jp2)
  50. 7-1 本研究の総括 / p140 (0076.jp2)
  51. 7-2 今後の課題 / p143 (0078.jp2)
  52. 7-3 参考文献 / p144 (0078.jp2)
  53. 謝辞 / p145 (0079.jp2)
  54. 関連発表論文 / p147 (0080.jp2)
  55. 本論文内容に直接関わる著者発表論文 / p147 (0080.jp2)
  56. その他論文 / p148 (0080.jp2)
  57. 本論文内容に直接関わる国際会議発表 / p149 (0081.jp2)
  58. その他国際会議発表 / p151 (0082.jp2)
7アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130640
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954388
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000294954
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ