Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 μm gate length for future VLSI application VLSI応用のための短チャネルSOI MOSFETとその0.1μmレベルへのスケーリングに関する研究

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著者

    • Joachim Hans-Oliver ヨアヒム ハンス オリバー

書誌事項

タイトル

Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 μm gate length for future VLSI application

タイトル別名

VLSI応用のための短チャネルSOI MOSFETとその0.1μmレベルへのスケーリングに関する研究

著者名

Joachim Hans-Oliver

著者別名

ヨアヒム ハンス オリバー

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6883号

学位授与年月日

1996-03-05

注記・抄録

博士論文

12286

博士(工学)

1996-03-05

大阪大学

14401乙第06883号

目次

  1. Table of Contents / p1 (0004.jp2)
  2. Abstract / p4 (0006.jp2)
  3. Chapter1 General Introduction / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1 Device Miniaturization and VLSI Technology Trends / p1 (0007.jp2)
  5. 1.2 Silicon-on-Insulator(SOI)Technology and Applications / p6 (0010.jp2)
  6. 1.3 Contribution of This Work / p13 (0013.jp2)
  7. Chapter2 SOI Substrates / p17 (0015.jp2)
  8. 2.1 Hetero-and Homoepitaxial Techniques / p17 (0015.jp2)
  9. 2.2 Polysilicon Recrystallization Techniques / p18 (0016.jp2)
  10. 2.3 Separation by Implanted Oxygen(SIMOX) / p29 (0021.jp2)
  11. 2.4 Wafer Bonding / p31 (0022.jp2)
  12. Chapter3 The SOI MOSFET / p33 (0023.jp2)
  13. 3.1 Distinction Between Thick-and Thin-Film SOI MOSFET's / p33 (0023.jp2)
  14. 3.2 Different Operation Modes of the SOI MOSFET / p39 (0026.jp2)
  15. Chapter4 Two-Dimensional Analytical Model / p43 (0028.jp2)
  16. 4.1 Motivation / p43 (0028.jp2)
  17. 4.2 The Concept of the Effective Substrate Voltage / p45 (0029.jp2)
  18. 4.3 Derivation of the Potential Distribution / p48 (0031.jp2)
  19. 4.4 Derivation of the Effective Substrate Voltage / p55 (0034.jp2)
  20. 4.5 Threshold Voltage Model of the Fully-Depleted SOI MOSFET / p58 (0036.jp2)
  21. Chapter5 Theoretical Investigation of the 0.1μm SOI MOSFET / p63 (0038.jp2)
  22. 5.1 Inversion-Mode SOI MOSFET / p64 (0039.jp2)
  23. 5.2 Accumulation-Mode SOI MOSFET / p102 (0058.jp2)
  24. 5.3 Which is the Optimum Structure for the 0.1μm SOI MOSFET? / p116 (0065.jp2)
  25. Chapter6 Fabrication of O.1μm SOI MOSFET's / p121 (0067.jp2)
  26. 6.1 Transistor Design and Implantation Conditions / p121 (0067.jp2)
  27. 6.2 Main Features of the O.1μm SOI MOSFET Fabrication Process / p131 (0072.jp2)
  28. Chapter7 Experimental Results / p137 (0075.jp2)
  29. 7.1 Transistor Characteristics / p137 (0075.jp2)
  30. 7.2 Ring Oscillator Propagation Delay / p145 (0079.jp2)
  31. 7.3 Comparison of Standard and Low-Dose SIMOX Substrates / p147 (0080.jp2)
  32. 7.4 Interpretation of Experimental Results by the Analytical Model / p154 (0084.jp2)
  33. 7.5 Effectiveness of Accumulation-Mode Transistor Counterdoping / p160 (0087.jp2)
  34. Chapter8 Perspective and Possible Device Applications / p164 (0089.jp2)
  35. 8.1 Merits and Drawbacks of Different SOI MOSFET Types For Scaling / p164 (0089.jp2)
  36. 8.2 New O.1μm SOI MOSFET Structure / p166 (0090.jp2)
  37. 8.3 Transient Effects in Dynamic Operation of Partially Depleted SOI MOSFET's / p169 (0091.jp2)
  38. 8.4 Memory Applications of SOI CMOS / p172 (0093.jp2)
  39. Chapter9 Summary / p179 (0096.jp2)
  40. Appendix A Analytic Solutions of the Poisson's Equation / p183 (0098.jp2)
  41. A1 Solution of Poisson's Equation With Parabolic Statement / p183 (0098.jp2)
  42. A2 Solution of Poisson's Equation Using Green's Functions / p186 (0100.jp2)
  43. References / p189 (0101.jp2)
  44. List of Publications / p198 (0106.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130644
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000130915
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000294958
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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