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シリコン結晶への金拡散およびこれにともなう点欠陥の挙動に関する研究

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著者

    • 高橋, 学 タカハシ, マナブ

書誌事項

タイトル

シリコン結晶への金拡散およびこれにともなう点欠陥の挙動に関する研究

著者名

高橋, 学

著者別名

タカハシ, マナブ

学位授与大学

岡山大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第1457号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 緒言 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 従来のシリコン結晶中の金拡散の研究 / p3 (0005.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的と概要 / p5 (0006.jp2)
  6. 参考文献 / p7 (0007.jp2)
  7. 第2章 無転位シリコン結晶への金導入の計算 / p8 (0008.jp2)
  8. 2.1 解離機構 / p8 (0008.jp2)
  9. 2.2 キックアウト機構 / p13 (0010.jp2)
  10. 2.3 結語 / p19 (0013.jp2)
  11. 参考文献 / p20 (0014.jp2)
  12. 第3章 シリコン結晶への金拡散によって発生する深い準位の分布 / p21 (0014.jp2)
  13. 3.1 金導入によってシリコン結晶中に発生する深い準位 / p21 (0014.jp2)
  14. 3.2 シリコン結晶への金導入 / p23 (0015.jp2)
  15. 3.3 放射化分析による全金濃度測定 / p24 (0016.jp2)
  16. 3.4 DLTSによる金濃度分布測定 / p26 (0017.jp2)
  17. 3.5 Ec-0.54以外の準位 / p42 (0025.jp2)
  18. 3.6 解離機構およびキックアウト機構の計算結果とEc-0.54eV準位の濃度分布の比較 / p43 (0025.jp2)
  19. 3.7 結語 / p46 (0027.jp2)
  20. 参考文献 / p47 (0027.jp2)
  21. 第4章 金導入によって発生する積層欠陥 / p48 (0028.jp2)
  22. 4.1 はじめに / p48 (0028.jp2)
  23. 4.2 実験方法 / p49 (0028.jp2)
  24. 4.3 積層欠陥の観察結果 / p58 (0033.jp2)
  25. 4.4 議論 / p68 (0038.jp2)
  26. 4.5 結語 / p75 (0041.jp2)
  27. 参考文献 / p76 (0042.jp2)
  28. 第5章 結論 / p77 (0042.jp2)
  29. 謝辞 / p80 (0044.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130730
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000954474
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000295044
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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