Step-controlled epitaxial growth of α-SiC and device applications α-SiCのステップ防御エピタキシャル成長とデバイス応用

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著者

    • 木本, 恒暢 キモト, ツネノブ

書誌事項

タイトル

Step-controlled epitaxial growth of α-SiC and device applications

タイトル別名

α-SiCのステップ防御エピタキシャル成長とデバイス応用

著者名

木本, 恒暢

著者別名

キモト, ツネノブ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第9183号

学位授与年月日

1996-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / p1 (0001.jp2)
  2. Contents / p5 (0008.jp2)
  3. Abstract / p1 (0006.jp2)
  4. Acknowlegments / p3 (0007.jp2)
  5. Contents / p5 (0008.jp2)
  6. Chapter1.Introduction / p1 (0010.jp2)
  7. 1.1 Background / p1 (0010.jp2)
  8. 1.2 Silicon Carbide / p2 (0011.jp2)
  9. 1.3 Outline of Thesis / p13 (0016.jp2)
  10. References / p15 (0017.jp2)
  11. Chapter2.Step-Controlled Epitaxy of α-SiC / p19 (0019.jp2)
  12. 2.1 Introduction / p19 (0019.jp2)
  13. 2.2 Chemical Vapor Deposition(CVD) System / p20 (0020.jp2)
  14. 2.3 Step-Controlled Epitaxy / p25 (0022.jp2)
  15. 2.4 Low-Temperature Growth / p38 (0029.jp2)
  16. 2.5 Summary / p43 (0031.jp2)
  17. References / p43 (0031.jp2)
  18. Chapter3.Growth Mechanism of Step-Controlled Epitaxy / p45 (0032.jp2)
  19. 3.1 Introduction / p45 (0032.jp2)
  20. 3.2 Rate-Determining Step / p46 (0033.jp2)
  21. 3.3 Step Bunching / p64 (0042.jp2)
  22. 3.4 Summary / p86 (0053.jp2)
  23. References / p86 (0053.jp2)
  24. Chapter4.Critical Growth Conditions for Step-Controlled Epitaxy / p89 (0054.jp2)
  25. 4.1 Introduction / p89 (0054.jp2)
  26. 4.2 Growth Model on Vicinal Substrates / p90 (0055.jp2)
  27. 4.3 Application to SiC Growth / p93 (0056.jp2)
  28. 4.4 Prediction of Step-Flow Growth Condition / p102 (0061.jp2)
  29. 4.5 Summary / p109 (0064.jp2)
  30. References / p110 (0065.jp2)
  31. List of Nomenclature / p111 (0065.jp2)
  32. Chapter5.Surface Kinetics in Step-Controlled Epitaxy / p113 (0066.jp2)
  33. 5.1 Introduction / p113 (0066.jp2)
  34. 5.2 Nucleation and Step Dynamics / p114 (0067.jp2)
  35. 5.3 Surface Diffusion Length / p130 (0075.jp2)
  36. 5.4 Summary / p145 (0082.jp2)
  37. References / p146 (0083.jp2)
  38. Chapter6.Characterization of Epilayers and Impurity Doping / p149 (0084.jp2)
  39. 6.1 Introduction / p149 (0084.jp2)
  40. 6.2 Structural Characterization / p150 (0085.jp2)
  41. 6.3 Physical Properties of Undoped Epilayers / p157 (0088.jp2)
  42. 6.4 In situ Doping of Impurities / p172 (0096.jp2)
  43. 6.5 Ion Implantation into Epilayers / p178 (0099.jp2)
  44. 6.6 Summary / p200 (0110.jp2)
  45. References / p201 (0110.jp2)
  46. Chapter7.Application to High-Power, High-Temperature Devices / p205 (0112.jp2)
  47. 7.1 Introduction / p205 (0112.jp2)
  48. 7.2 Prediction of SiC Power Devices / p206 (0113.jp2)
  49. 7.3 High-Voltage Schottky Rectifiers / p214 (0117.jp2)
  50. 7.4 High-Voltage, High-Temperature pn Diodes / p224 (0122.jp2)
  51. 7.5 Summary / p234 (0127.jp2)
  52. References / p235 (0127.jp2)
  53. Chapter8.Conclusions / p239 (0129.jp2)
  54. 8.1 Conclusions / p239 (0129.jp2)
  55. 8.2 For the Future Work / p241 (0130.jp2)
  56. References / p245 (0132.jp2)
  57. Appendix / p247 (0133.jp2)
  58. List of Publications / p249 (0134.jp2)
6アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000131265
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000965950
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000295579
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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