Energy gap anomaly and ordered structure in AlGaInP alloy semiconductors AlGaInP混晶半導体におけるエネルギー・ギャップ異常と秩序構造

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著者

    • 鈴木, 徹 スズキ, トオル

書誌事項

タイトル

Energy gap anomaly and ordered structure in AlGaInP alloy semiconductors

タイトル別名

AlGaInP混晶半導体におけるエネルギー・ギャップ異常と秩序構造

著者名

鈴木, 徹

著者別名

スズキ, トオル

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第9184号

学位授与年月日

1996-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / p1 (0001.jp2)
  2. Table of Contents / p2 (0005.jp2)
  3. Abstract / p4 (0006.jp2)
  4. 1 Introduction / p5 (0007.jp2)
  5. References / p13 (0011.jp2)
  6. 2 Sample Preparation / p16 (0012.jp2)
  7. 2-1 Introduction / p16 (0012.jp2)
  8. 2-2 Growth and Characterization Method / p17 (0013.jp2)
  9. 2-3 GaInP and AlInP / p22 (0016.jp2)
  10. 2-4 AlGaInP / p26 (0021.jp2)
  11. 2-5 Summary / p28 (0023.jp2)
  12. References / p29 (0024.jp2)
  13. 3 Energy Gap Anomaly in GaInP and AlGaInP / p31 (0025.jp2)
  14. 3-1 Introduction / p31 (0025.jp2)
  15. 3-2 Short Summary and Critical Examinations of the Reported Energy Gap Values of GaInP / p31 (0025.jp2)
  16. 3-3 Growth Condition Dependence of Photoluminescence Peak Energy / p34 (0026.jp2)
  17. 3-4 Compositional and Optical Characterization on Samples with and without PL Peak Energy Anomaly / p42 (0036.jp2)
  18. 3-5 Discussion / p46 (0042.jp2)
  19. 3-6 Summary / p51 (0045.jp2)
  20. References / p53 (0046.jp2)
  21. 4 Ordered Structure in GaInP and AlGaInP / p55 (0047.jp2)
  22. 4-1 Introduction / p55 (0047.jp2)
  23. 4-2 Basic Atomic Structure of Ga₀.₅In₀.₅P and([化学式])₀.₅In₀.₅P with Energy Gap Anomaly / p55 (0047.jp2)
  24. 4-3 Ordered Structure and Energy Gap Anomaly / p57 (0049.jp2)
  25. 4-4 Discussion / p61 (0054.jp2)
  26. 4-5 Summary / p67 (0058.jp2)
  27. References / p68 (0058.jp2)
  28. 5 Formation Mechanism of Ordered Structure / p70 (0059.jp2)
  29. 5-1 Introduction / p70 (0059.jp2)
  30. 5-2 Effects of Substrate Misorientation from(001)on Ordered Structure Variants / p70 (0059.jp2)
  31. 5-3 Interface between Ga₀.₅In₀.₅P and GaAs Substrate / p75 (0063.jp2)
  32. 5-4(Al₀.₆Ga₀.₄)₀.₅ln₀.₅P Grown on Disordered(Al₀.₆Ga₀.₄)₀.₅In₀.₅P / p76 (0065.jp2)
  33. 5-5 Proposal of Formation Mechanism / p77 (0066.jp2)
  34. 5-6 Discussion / p79 (0069.jp2)
  35. 5-7 Summary / p92 (0077.jp2)
  36. References / p93 (0077.jp2)
  37. 6 Conclusion / p96 (0079.jp2)
  38. Acknowledgements / p101 (0081.jp2)
  39. Appendix / p102 (0082.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000131266
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000965951
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000295580
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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