HVPE growth of GaN bulk single crystal HVPE法によるGaNバルク単結晶の成長に関する研究

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著者

    • Theeradetch Detchprohm ティーラデート デートプロム

書誌事項

タイトル

HVPE growth of GaN bulk single crystal

タイトル別名

HVPE法によるGaNバルク単結晶の成長に関する研究

著者名

Theeradetch Detchprohm

著者別名

ティーラデート デートプロム

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3404号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. CONTENTS / p1 (0003.jp2)
  2. Chapter 1 Introduction / p1 (0004.jp2)
  3. §1.1 The Overview of Wide-gap Semiconductor / p1 (0004.jp2)
  4. §1.2 Historical View of GaN and Related Materials / p13 (0010.jp2)
  5. §1.3 The Purposes and Scope of This Study / p21 (0014.jp2)
  6. References / p23 (0015.jp2)
  7. Chapter 2 HVPE Growth of Thick and Strain-Free GaN Bulk Single Crystal Films / p33 (0020.jp2)
  8. §2.1 Introduction / p33 (0020.jp2)
  9. §2.2 Experimental Procedure / p34 (0021.jp2)
  10. §2.3 Characterization of Thick GaN Single Crystals / p39 (0023.jp2)
  11. §2.4 Numerical Analysis of Thermal Strain Relaxation Mechanism / p53 (0030.jp2)
  12. §2.5 Conclusion / p69 (0038.jp2)
  13. References / p70 (0039.jp2)
  14. Chapter 3 Introduction of ZnO Buffer Layer to HVPE Growth of GaN / p72 (0040.jp2)
  15. §3.1 Introduction / p72 (0040.jp2)
  16. §3.2 Experimental Procedure / p74 (0041.jp2)
  17. §3.3 Morphology of GaN Bulk Single Crystal Using ZnO Buffer Layer / p78 (0043.jp2)
  18. §3.4 Reproducibility of Growing GaN Single Crystal / p81 (0044.jp2)
  19. §3.5 Characterization of the GaN Single Crystal Utilizing ZnO Buffer Layer / p92 (0050.jp2)
  20. §3.6 Conclusion / p115 (0061.jp2)
  21. References / p116 (0062.jp2)
  22. Chapter 4 Mg Doping in Homoepitaxial Growth of GaN / p118 (0063.jp2)
  23. §4.1 Introduction / p118 (0063.jp2)
  24. §4.2 Experimental Procedure / p120 (0064.jp2)
  25. §4.3 Homoepitaxy of Mg Doped GaN / p123 (0065.jp2)
  26. §4.4 Conclusion / p141 (0074.jp2)
  27. References / p142 (0075.jp2)
  28. Chapter 5 Silicon Doping in GaN by HVPE / p143 (0075.jp2)
  29. §5.1 Introduction / p143 (0075.jp2)
  30. §5.2 Experimental Procedure / p144 (0076.jp2)
  31. §5.3 Characterization of Si Doped GaN / p145 (0076.jp2)
  32. §5.4 Conclusion / p152 (0080.jp2)
  33. References / p152 (0080.jp2)
  34. Chapter 6 Selective Growth in HVPE of GaN / p153 (0080.jp2)
  35. §6.1 Introduction / p153 (0080.jp2)
  36. §6.2 Experimental Procedure / p155 (0081.jp2)
  37. §6.3 Characterization / p159 (0083.jp2)
  38. §6.4 Conclusion / p168 (0088.jp2)
  39. References / p169 (0088.jp2)
  40. Chapter 7 Summary and Prospects for Future Work / p170 (0089.jp2)
  41. Acknowledgement / p175 (0091.jp2)
  42. List of Papers / p177 (0092.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000131782
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000132053
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000296096
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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