Nb系多重積層ジョセフソン接合に関する研究

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著者

    • 山森, 弘毅 ヤマモリ, ヒロタケ

書誌事項

タイトル

Nb系多重積層ジョセフソン接合に関する研究

著者名

山森, 弘毅

著者別名

ヤマモリ, ヒロタケ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3455号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成8年3月25日

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1 序論 / p5 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景と目的 / p5 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の内容 / p16 (0012.jp2)
  5. 2 積層接合の集積回路応用 / p21 (0014.jp2)
  6. 2.1 はじめに / p21 (0014.jp2)
  7. 2.2 ノンラッチ型直流ゲート / p22 (0015.jp2)
  8. 2.3 積層ジョセフソン接合を用いたRSFQの集積化 / p23 (0015.jp2)
  9. 2.4 Multi Flux Quantum(MFQ)による動作電圧の増加 / p32 (0020.jp2)
  10. 2.5 結論 / p45 (0026.jp2)
  11. 3 ジョセフソン接合の作製とトンネル分光による接合特性の評価 / p49 (0028.jp2)
  12. 3.1 接合作製プロセスと作製条件 / p49 (0028.jp2)
  13. 3.2 Al膜厚と素子特性 / p61 (0034.jp2)
  14. 3.3 近接効果を考慮した電流電圧特性の計算 / p72 (0040.jp2)
  15. 3.4 結論 / p87 (0047.jp2)
  16. 4 積層ジョセフソン接合の作製と特性 / p89 (0048.jp2)
  17. 4.1 はじめに / p90 (0049.jp2)
  18. 4.2 SINIS接合の中間電極への準粒子注入 / p90 (0049.jp2)
  19. 4.3 積層ジョセフソン接合の作製 / p109 (0058.jp2)
  20. 4.4 積層10接合の作製 / p128 (0068.jp2)
  21. 4.5 結論 / p131 (0069.jp2)
  22. 5 NbNバリアを用いたジョセフソン接合の作製と評価 / p135 (0071.jp2)
  23. 5.1 はじめに / p136 (0072.jp2)
  24. 5.2 積層ジョセフソン接合のシャント方法の検討 / p136 (0072.jp2)
  25. 5.3 NbN/a-[化学式]/NbN接合作製プロセス / p143 (0075.jp2)
  26. 5.4 半導体a-[化学式]障壁を用いたジョセフソン接合 / p150 (0079.jp2)
  27. 5.5 局在準位を介した伝導のモデル計算 / p155 (0081.jp2)
  28. 5.6 NbN/a-[化学式]/NbN接合の高臨界電流密度化 / p158 (0083.jp2)
  29. 5.7 積層NbN/a-[化学式]/NbNジョセフソン接合の作製 / p162 (0085.jp2)
  30. 5.8 結論 / p168 (0088.jp2)
  31. 6 総括 / p171 (0089.jp2)
  32. 6.1 結論 / p171 (0089.jp2)
  33. 6.2 今後の課題 / p173 (0090.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000131833
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966469
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296147
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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