単原子層ドープしたGaAsの光学的・電気的特性に関する研究

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著者

    • 鈴木, 孝昌 スズキ, タカマサ

書誌事項

タイトル

単原子層ドープしたGaAsの光学的・電気的特性に関する研究

著者名

鈴木, 孝昌

著者別名

スズキ, タカマサ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第3458号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. §1-1 緒言 / p1 (0005.jp2)
  4. §1-2 δドープ構造の作製方法、概念および問題点 / p3 (0006.jp2)
  5. §1-3 δドープ層の電子状態 / p5 (0007.jp2)
  6. 1-3-1サブバンド構造 / p5 (0007.jp2)
  7. 1-3-2 δドープ層におけるシュブエコフ・ド・パース効果 / p8 (0009.jp2)
  8. 1-3-3 シュブユコフ・ド・パース効果による各サブバンドのシートキャリア濃度決定上の問題点とその解決法の提案 / p14 (0012.jp2)
  9. §1-4 δドープ層の光学特性 / p15 (0012.jp2)
  10. §1-5 不純物伝導 / p16 (0013.jp2)
  11. §1-6 δドープ層の応用例 / p18 (0014.jp2)
  12. 1-6-1 FET / p18 (0014.jp2)
  13. 1-6-2 ドーピング超格子 / p20 (0015.jp2)
  14. §1-7 δドープ層の拡散と偏析現象 / p22 (0016.jp2)
  15. 1-7-1 δドープ層の拡散と偏析の評価方法 / p22 (0016.jp2)
  16. 1-7-2 δドープ層の拡散 / p23 (0016.jp2)
  17. 1-7-3 δドープ層の偏析 / p29 (0019.jp2)
  18. §1-8 本研究の目的と構成 / p33 (0021.jp2)
  19. 参考文献 / p36 (0023.jp2)
  20. 第2章 δドープGaAsにおける光学特性 / p39 (0024.jp2)
  21. §2-1 緒言 / p39 (0024.jp2)
  22. §2-2 実験方法 / p39 (0024.jp2)
  23. §2-3 SIMS分析によるドーピング濃度の決定 / p40 (0025.jp2)
  24. §2-4 電子移動度 / p41 (0025.jp2)
  25. §2-5 シートキャリア濃度およびシート導電率 / p48 (0029.jp2)
  26. §2-6 室温におけるフォトルミネッセンススペクトル / p51 (0030.jp2)
  27. §2-7 77Kにおけるフォトルミネッセンススぺクトル / p51 (0030.jp2)
  28. §2-8 4.2Kにおけるフォトルミネッセンススぺクトル / p54 (0032.jp2)
  29. §2-9 フォトルミネッセンススペクトルの成長温度依存性 / p58 (0034.jp2)
  30. §2-10 結言 / p63 (0036.jp2)
  31. 参考文献 / p64 (0037.jp2)
  32. 第3章 δドープGaAsにおけるイオン化不純物Siの広がり / p66 (0038.jp2)
  33. §3-1 緒言 / p66 (0038.jp2)
  34. §3-2 試料作製方法 / p67 (0038.jp2)
  35. §3-3 C-V法の測定原理 / p68 (0039.jp2)
  36. §3-4 シート導電率とC-Vプロファイルのドーピング濃度依存性 / p70 (0040.jp2)
  37. §3-5 シート導電率とC-Vプロファイルの成長温度依存性 / p75 (0042.jp2)
  38. §3-6 δドープGaAsにおけるSiの拡散および偏析現象 / p79 (0044.jp2)
  39. §3-7 自己無撞着な計算によるC-Vプロファイル / p80 (0045.jp2)
  40. §3-8 結言 / p84 (0047.jp2)
  41. 参考文献 / p85 (0047.jp2)
  42. 第4章 δドープGaAsにおける自己補償効果 / p86 (0048.jp2)
  43. §4-1 緒言 / p86 (0048.jp2)
  44. §4-2 試料作製方法 / p88 (0049.jp2)
  45. §4-3 濃度分布測定方法 / p89 (0049.jp2)
  46. 4-3-1 SIMS分析 / p89 (0049.jp2)
  47. 4-3-2 C-V測定 / p89 (0049.jp2)
  48. §4-4 δドープGaAsのSIMS分析 / p89 (0049.jp2)
  49. §4-5 SIMSプロファイルとC-Vプロファイルの比較 / p92 (0051.jp2)
  50. §4-6 アニールによる効果 / p95 (0052.jp2)
  51. §4-7 格子間Si,GaサイトSi,AsサイトSiの割合 / p98 (0054.jp2)
  52. §4-8 結言 / p101 (0055.jp2)
  53. 参考文献 / p102 (0056.jp2)
  54. 第5章 δドープGaAsFETにおけるC-Vとトランスコンダクタンスの比較 / p104 (0057.jp2)
  55. §5-1 緒言 / p104 (0057.jp2)
  56. §5-2 サブバンド間散乱の測定原理 / p105 (0057.jp2)
  57. §5-3 トランスコンダクタンスの測定方法 / p108 (0059.jp2)
  58. §5-4 試料作製方法 / p108 (0059.jp2)
  59. §5-5 C-V法の測定周波数依存性 / p110 (0060.jp2)
  60. §5-6 C-Vプロファイル / p110 (0060.jp2)
  61. §5-7 トランスコンダクタンス / p114 (0062.jp2)
  62. §5-8 C-V濃度とトランスコンダクタンスの比較 / p117 (0063.jp2)
  63. §5-9 結言 / p119 (0064.jp2)
  64. 参考文献 / p120 (0065.jp2)
  65. 第6章 δドープGaAsにおける伝導機構 / (0065.jp2)
  66. §6-1 緒言 / p121 (0065.jp2)
  67. §6-2 試料作製方法および磁気抵抗の測定方法 / p121 (0065.jp2)
  68. §6-3 磁気抵抗のδドープ層の深さおよび温度依存性 / p122 (0066.jp2)
  69. §6-4 Hall効果と遮蔽距離 / p128 (0069.jp2)
  70. §6-5 結言 / p132 (0071.jp2)
  71. 参考文献 / p133 (0071.jp2)
  72. 第7章 総括 / p134 (0072.jp2)
  73. 謝辞 / p139 (0074.jp2)
  74. 本研究に関する発表 / p140 (0075.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000131836
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966470
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000296150
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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