半導体表面の原子構造とレーザー誘起原子過程に関する研究

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著者

    • 石川, 憲一 イシカワ, ケンイチ

書誌事項

タイトル

半導体表面の原子構造とレーザー誘起原子過程に関する研究

著者名

石川, 憲一

著者別名

イシカワ, ケンイチ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第3488号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 1 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 緒言 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 半導体表面の物性 / p3 (0006.jp2)
  5. 1.3 走査型トンネル顕微鏡 / p11 (0010.jp2)
  6. 1.4 光誘起原子過程 / p13 (0011.jp2)
  7. 1.5 本研究の目的 / p17 (0013.jp2)
  8. 2 実験装置および実験方法 / p19 (0014.jp2)
  9. 2.1 緒言 / p19 (0014.jp2)
  10. 2.2 試料 / p19 (0014.jp2)
  11. 2.3 実験装置・手法 / p20 (0015.jp2)
  12. 3 実験結果 / p35 (0022.jp2)
  13. 3.1 Si(111)-7×7表面における原子放出の特徴 / p35 (0022.jp2)
  14. 3.2 原子放出と電子励起形態 / p41 (0025.jp2)
  15. 3.3 原子放出と原子結合状態 / p44 (0027.jp2)
  16. 4 考察 / p53 (0031.jp2)
  17. 4.1 実験結果のまとめ / p53 (0031.jp2)
  18. 4.2 放出収量の光子エネルギー依存性に関する考察 / p54 (0032.jp2)
  19. 4.3 原子放出のサイト依存性に関する考察 / p56 (0033.jp2)
  20. 4.4 放出原子のエネルギー分布に関する考察 / p57 (0033.jp2)
  21. 5 結論 / p61 (0035.jp2)
  22. Laser-Induced Bond Breaking of the Adatoms of the Si(111)-7×7 Surface / p1 (0043.jp2)
  23. Site-Sensitive Yield of Atomic Emission Induced by Laser Irradiation on Si(111)-7x7 Surface / p1 (0059.jp2)
  24. Dynamical Interaction of Surface Electron-Hole Pairs with Surface Defects:Surface Spectroscopy Monitored by Particle Emissions / p2495 (0074.jp2)
  25. Defect-initiated emission of Ga atoms from the GaAs(110)surface induced by pulsed laser irradiation / p6497 (0076.jp2)
  26. Emission of Na atoms from undamaged and slightly damaged NaCl(100)surfaces by electronic excitation / p4931 (0081.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000131866
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966498
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000296180
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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