半導体製造工程における絶縁膜の劣化に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
半導体製造工程における絶縁膜の劣化に関する研究
- 著者名
-
武藤, 浩隆
- 著者別名
-
ムトウ, ヒロタカ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第4951号
- 学位授与年月日
-
1996-03-01
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 本研究の背景と目的 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1.2 半導体製造工程の歴史的変遷とその課題 / p2 (0006.jp2)
- 1.3 半導体製造工程中の酸化膜の劣化要因 / p4 (0007.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p5 (0007.jp2)
- 文献 / p8 (0009.jp2)
- 第2章 MOSキャパシタ劣化の測定方法 / p10 (0010.jp2)
- 2.1 はじめに / p10 (0010.jp2)
- 2.2 C-V測定法の概要 / p11 (0010.jp2)
- 2.3 測定装置と測定方法 / p13 (0011.jp2)
- 2.4 まとめ / p15 (0012.jp2)
- 文献 / p15 (0012.jp2)
- 第3章 高電界印加によるSiO₂/Si界面準位の発生機構 / p16 (0013.jp2)
- 3.1 酸化膜への電気的ストレスと界面準位 / p16 (0013.jp2)
- 3.2 実験試料と実験方法 / p16 (0013.jp2)
- 3.3 界面準位のエネルギスペクトルと電子注入量依存性 / p17 (0013.jp2)
- 3.4 界面準位発生への酸化膜厚と電界の効果 / p19 (0014.jp2)
- 3.5 界面準位発生への電子注入時温度の効果 / p20 (0015.jp2)
- 3.6 界面準位発生のモデル / p22 (0016.jp2)
- 3.7 まとめ / p26 (0018.jp2)
- 文献 / p26 (0018.jp2)
- 第4章 イオン注入中のウエハの帯電機構 / p28 (0019.jp2)
- 4.1 はじめに / p28 (0019.jp2)
- 4.2 イオン注入装置の概要と実験方法 / p30 (0020.jp2)
- 4.3 実験結果 / p33 (0021.jp2)
- 4.4 考察 / p44 (0027.jp2)
- 4.5 まとめ / p49 (0029.jp2)
- 文献 / p50 (0030.jp2)
- 第5章 イオン注入工程における酸化膜の劣化機構 / p52 (0031.jp2)
- 5.1 はじめに / p52 (0031.jp2)
- 5.2 実験試料と実験方法 / p53 (0031.jp2)
- 5.3 実験結果 / p54 (0032.jp2)
- 5.4 イオン注入中のMOSキャパシタの劣化機構 / p61 (0035.jp2)
- 5.5 まとめ / p65 (0037.jp2)
- 文献 / p66 (0038.jp2)
- 第6章 酸化膜の劣化に与えるゲートエッジの影響 / p67 (0038.jp2)
- 6.1 はじめに / p67 (0038.jp2)
- 6.2 トンネル電流の計算方法と電極形状 / p68 (0039.jp2)
- 6.3 計算結果と考察 / p70 (0040.jp2)
- 6.4 まとめ / p77 (0043.jp2)
- 文献 / p78 (0044.jp2)
- 第7章 RTS(Random Telegraph Signal)による欠陥評価手法 / p80 (0045.jp2)
- 7.1 C-V法の限界とRTS研究の意義 / p80 (0045.jp2)
- 7.2 RTSの測定方法 / p82 (0046.jp2)
- 7.3 RTSの理論 / p84 (0047.jp2)
- 7.4 X線照射によるRTSの発生および消滅特性 / p88 (0049.jp2)
- 7.5 考察 / p97 (0053.jp2)
- 7.6 まとめ / p99 (0054.jp2)
- 文献 / p100 (0055.jp2)
- 第8章 結言 / p102 (0056.jp2)
- 8.1 本論文で得られた新たな知見 / p102 (0056.jp2)
- 8.2 今後の課題 / p105 (0057.jp2)
- 文献 / p106 (0058.jp2)
- 謝辞 / p107 (0058.jp2)
- 本研究に関する業績 / p109 (0059.jp2)