分子線エピタキシ法を用いた化合物半導体ヘテロ成長機構と格子歪緩和
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Bibliographic Information
- Title
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分子線エピタキシ法を用いた化合物半導体ヘテロ成長機構と格子歪緩和
- Author
-
吉川, 昌宏
- Author(Another name)
-
ヨシカワ, マサヒロ
- University
-
静岡大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第127号
- Degree year
-
1996-03-23
Note and Description
博士論文
doctoral
電子科学研究科
甲第127号
Table of Contents
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0007.jp2)
- 1.2 量子構造 / p1 (0007.jp2)
- 1.3 ヘテロ成長技術 / p2 (0008.jp2)
- 1.4 格子歪緩和モデル / p4 (0009.jp2)
- 1.5 本論文の目的 / p8 (0011.jp2)
- 参考文献 / p9 (0011.jp2)
- 第2章 MBE法とSPA法 / p12 (0013.jp2)
- 2.1 はじめに / p12 (0013.jp2)
- 2.2 MBEシステム / p12 (0013.jp2)
- 2.3 MBE装置 / p14 (0014.jp2)
- 2.4 基板温度の制御 / p15 (0014.jp2)
- 2.5 分子線源 / p16 (0015.jp2)
- 2.6 シャッター制御 / p24 (0019.jp2)
- 2.7 RHEEDパターンの解析法 / p25 (0019.jp2)
- 2.8 SPA法 / p31 (0022.jp2)
- 2.9 まとめ / p35 (0024.jp2)
- 参考文献 / p35 (0024.jp2)
- 第3章 表面再構成構造と表面ストイキオメトリ / p37 (0025.jp2)
- 3.1 はじめに / p37 (0025.jp2)
- 3.2 SPA測定装置 / p37 (0025.jp2)
- 3.3 GaAs(001)表面 / p38 (0026.jp2)
- 3.4 GaP(001)表面 / p49 (0031.jp2)
- 3.5 まとめ / p65 (0039.jp2)
- 参考文献 / p65 (0039.jp2)
- 第4章 成長モード遷移前の格子歪緩和過程 / p67 (0040.jp2)
- 4.1 はじめに / p67 (0040.jp2)
- 4.2 弾性緩和モデル / p67 (0040.jp2)
- 4.3 実験方法 / p69 (0041.jp2)
- 4.4 2次元層成長中における格子歪緩和 / p69 (0041.jp2)
- 4.5 MEE法によるヘテロ成長 / p73 (0043.jp2)
- 4.6 まとめ / p78 (0046.jp2)
- 参考文献 / p78 (0046.jp2)
- 第5章 GaAs/GaP(001)ヘテロ成長における成長モード遷移 / p80 (0047.jp2)
- 5.1 はじめに / p80 (0047.jp2)
- 5.2 格子不整合系における成長モード遷移 / p80 (0047.jp2)
- 5.3 実験方法 / p81 (0047.jp2)
- 5.4 GaAs/GaPヘテロ成長初期過程 / p81 (0047.jp2)
- 5.5 ヘテロ成長過程と基板温度 / p89 (0051.jp2)
- 5.6 成長モード遷移付近における成長機構 / p97 (0055.jp2)
- 5.7 まとめ / p100 (0057.jp2)
- 参考文献 / p100 (0057.jp2)
- 第6章 結論 / p102 (0058.jp2)
- 6.1 GaP(001)表面 / p102 (0058.jp2)
- 6.2 2次元層成長中の格子歪緩和過程 / p103 (0058.jp2)
- 6.3 ヘテロ成長機構 / p103 (0058.jp2)
- 6.4 結言 / p104 (0059.jp2)
- 謝辞 / p106 (0060.jp2)
- 研究業績一覧 / p107 (0060.jp2)