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リモートプラズマ励起有機金属化学気相堆積法によるZnSeの成長

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著者

    • 青木, 徹 アオキ, トオル

書誌事項

タイトル

リモートプラズマ励起有機金属化学気相堆積法によるZnSeの成長

著者名

青木, 徹

著者別名

アオキ, トオル

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第128号

学位授与年月日

1996-03-23

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

甲第128号

目次

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1節 MOCVD法の背景 / p3 (0006.jp2)
  4. 1.2節 リモートプラズマCVD法の背景 / p6 (0008.jp2)
  5. 1.3節 研究の概説,目的 / p8 (0009.jp2)
  6. 1.4節 論文の構成 / p9 (0009.jp2)
  7. 第2章 実験方法 / p11 (0010.jp2)
  8. 2.1節 リモートプラズマCVD法 / p11 (0010.jp2)
  9. 2.2節 リモートプラズマ励起MOCVD法 / p15 (0012.jp2)
  10. 2.3節 ラジカル量の定量 / p20 (0015.jp2)
  11. 第3章 銅薄膜堆積 / p24 (0017.jp2)
  12. 3.1節 銅薄膜堆積の背景と実験条件 / p24 (0017.jp2)
  13. 3.2節 反応過程:反応励起種 / p26 (0018.jp2)
  14. 3.3節 反応過程:堆積速度 / p27 (0018.jp2)
  15. 3.4節 膜質評価 / p31 (0020.jp2)
  16. 3.5節 まとめ / p34 (0022.jp2)
  17. 第4章 亜鉛薄膜堆積 / p36 (0023.jp2)
  18. 4.1節 亜鉛薄膜の堆積の背景と実験条件 / p36 (0023.jp2)
  19. 4.2節 反応過程:反応励起種 / p38 (0024.jp2)
  20. 4.3節 反応過程:堆積速度 / p39 (0024.jp2)
  21. 4.4節 窒素ラジカルとDEZnの反応 / p43 (0026.jp2)
  22. 4.5節 まとめ / p45 (0027.jp2)
  23. 第5章 ZnSeエピタキシャル成長 / p46 (0028.jp2)
  24. 5.1節 Si基板上での成長過程の検討 / p46 (0028.jp2)
  25. 5.1.1 背景と実験条件 / p46 (0028.jp2)
  26. 5.1.2 反応過程 / p50 (0030.jp2)
  27. 5.1.3 膜質評価 / p55 (0032.jp2)
  28. 5.2節 GaAs基板上でのエピタキシャル成長 / p58 (0034.jp2)
  29. 5.2.1 背景と実験条件 / p58 (0034.jp2)
  30. 5.2.2 成長結果 / p59 (0034.jp2)
  31. 5.3節 Si基板上でのエピタキシャル成長 / p62 (0036.jp2)
  32. 5.3.1 背景と実験条件 / p62 (0036.jp2)
  33. 5.3.2 成長結果 / p62 (0036.jp2)
  34. 5.4節 水素ラジカルによるZnSeのエッチング効果 / p69 (0039.jp2)
  35. 5.5節 まとめ / p72 (0041.jp2)
  36. 第6章 不純物添加とバンド構造 / p74 (0042.jp2)
  37. 6.1節 n-BtIによる不純物添加 / p74 (0042.jp2)
  38. 6.1.1 背景と実験条件 / p74 (0042.jp2)
  39. 6.1.2 成長結果 / p75 (0042.jp2)
  40. 6.2節 窒素ラジカルによる不純物添加 / p78 (0044.jp2)
  41. 6.2.1 背景と実験条件 / p78 (0044.jp2)
  42. 6.2.2 成長結果 / p80 (0045.jp2)
  43. 6.3節 バンド構造の解析 / p86 (0048.jp2)
  44. 6.3.1 内部光電子放出法による解析 / p86 (0048.jp2)
  45. 6.3.2 XPSによる解析 / p89 (0049.jp2)
  46. 6.4節 まとめ / p92 (0051.jp2)
  47. 第7章 リモートプラズマ励起MOCVD法の応用 / p93 (0051.jp2)
  48. 7.1節 CdSe膜の成長 / p93 (0051.jp2)
  49. 7.1.1 成長結果 / p94 (0052.jp2)
  50. 7.1.2 電気的特性評価 / p95 (0052.jp2)
  51. 7.2節 TFTの作製 / p97 (0053.jp2)
  52. 7.2.1 背景 / p97 (0053.jp2)
  53. 7.2.2 TFT作製 / p99 (0054.jp2)
  54. 第8章 結論 / p102 (0056.jp2)
  55. 謝辞 / p104 (0057.jp2)
  56. 参考文献 / p106 (0058.jp2)
  57. 発表論文リスト / p114 (0062.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132029
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966654
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296343
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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