重力の効果を用いた半導体結晶の液相成長に関する研究

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著者

    • 金井, 宏 カナイ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

重力の効果を用いた半導体結晶の液相成長に関する研究

著者名

金井, 宏

著者別名

カナイ, ヒロシ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第140号

学位授与年月日

1996-03-23

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

甲第140号

目次

  1. 目次 / p5 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 緒言 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 本論文の構成 / p3 (0008.jp2)
  5. 第2章 yo-yo溶質供給法の最適条件 / p7 (0010.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p7 (0010.jp2)
  7. 2.2 yo-yo溶質供給法の成長原理 / p8 (0011.jp2)
  8. 2.3 yo-yo溶質供給法によるSi液相成長の実験方法 / p10 (0012.jp2)
  9. 2.4 実験結果及び考察 / p13 (0013.jp2)
  10. 2.5 まとめ / p18 (0016.jp2)
  11. 第3章 徐冷法によるSi液相成長の重力効果 / p21 (0017.jp2)
  12. 3.1 緒言 / p21 (0017.jp2)
  13. 3.2 徐冷法によるSi液相成長の実験方法 / p22 (0018.jp2)
  14. 3.3 実験結果及び考察 / p26 (0020.jp2)
  15. 3.4 まとめ / p40 (0027.jp2)
  16. 第4章 Ga溶媒を用いたSi液相成長における重力効果 / p43 (0028.jp2)
  17. 4.1 緒言 / p43 (0028.jp2)
  18. 4.2 徐冷法によるSi液相成長の実験方法 / p44 (0029.jp2)
  19. 4.3 実験結果及び考察 / p46 (0030.jp2)
  20. 4.4 まとめ / p50 (0032.jp2)
  21. 第5章 Si液相成長の数値解析 / p55 (0034.jp2)
  22. 5.1 緒言 / p55 (0034.jp2)
  23. 5.2 無次元数についての考察 / p55 (0034.jp2)
  24. 5.3 数値解析モデル / p58 (0036.jp2)
  25. 5.4 数値解析の結果と考察 / p63 (0038.jp2)
  26. 5.5 まとめ / p70 (0042.jp2)
  27. 第6章 GaAs液相成長における重力効果 / p75 (0044.jp2)
  28. 6.1 緒言 / p75 (0044.jp2)
  29. 6.2 実験方法 / p76 (0045.jp2)
  30. 6.3 実験結果と考察 / p83 (0048.jp2)
  31. 6.4 まとめ / p91 (0052.jp2)
  32. 第7章 GaSb液相成長における重力効果 / p95 (0054.jp2)
  33. 7.1 緒言 / p95 (0054.jp2)
  34. 7.2 徐冷成長、溶解実験の方法 / p97 (0055.jp2)
  35. 7.3 実験結果と考察 / p100 (0057.jp2)
  36. 7.4 まとめ / p104 (0059.jp2)
  37. 第8章 結論 / p107 (0060.jp2)
  38. 謝辞 / p113 (0063.jp2)
  39. 研究業績目録 / p114 (0064.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132041
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966664
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296355
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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