GaAsの液晶エピタキシャル成長と静電誘導デバイスへの応用に関する研究

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著者

    • 神谷, 俊幸 カミヤ, トシユキ

書誌事項

タイトル

GaAsの液晶エピタキシャル成長と静電誘導デバイスへの応用に関する研究

著者名

神谷, 俊幸

著者別名

カミヤ, トシユキ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第141号

学位授与年月日

1996-03-23

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

甲第141号

目次

  1. 目次 / p4 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 静電誘導デバイス / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 液相エピタキシー / p13 (0012.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的と各章の概要 / p14 (0013.jp2)
  6. 第2章 GaAs静電誘導デバイスの数値シミュレーション / p21 (0016.jp2)
  7. 2.1 緒言 / p21 (0016.jp2)
  8. 2.2 数値解析法 / p23 (0017.jp2)
  9. 2.3 GaAs BSITのシミュレーション / p26 (0019.jp2)
  10. 2.4 GaAs SIThyのシミュレーション / p31 (0021.jp2)
  11. 2.5 結言 / p36 (0024.jp2)
  12. 第3章 不純物添加の格子定数への影響と格子補償効果 / p41 (0026.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p41 (0026.jp2)
  14. 3.2 不純物添加GaAsの格子定数と格子補償効果 / p42 (0027.jp2)
  15. 3.3 実験方法 / p44 (0028.jp2)
  16. 3.4 結果および考察 / p48 (0030.jp2)
  17. 3.5 結言 / p54 (0033.jp2)
  18. 第4章 GaAs格子整合H-L接合のLPE成長 / p59 (0035.jp2)
  19. 4.1 緒言 / p59 (0035.jp2)
  20. 4.2 GaAs格子整合p⁺-i接合の形成の原理 / p60 (0036.jp2)
  21. 4.3 成長実験 / p61 (0036.jp2)
  22. 4.4 成長結果 / p64 (0038.jp2)
  23. 4.5 GaAs pinダイオードの試作と評価 / p67 (0039.jp2)
  24. 4.6 結言 / p73 (0042.jp2)
  25. 第5章 Ge/GaAs連続LPE成長 / p77 (0044.jp2)
  26. 5.1 緒言 / p77 (0044.jp2)
  27. 5.2 Ge/GaAs構造 / p78 (0045.jp2)
  28. 5.3 Ge/GaAs連続液相エピタキシャル成長 / p79 (0045.jp2)
  29. 5.4 成長方法 / p79 (0045.jp2)
  30. 5.5 成長結果および成長層の評価 / p82 (0047.jp2)
  31. 5.6 基板の湾曲の評価 / p88 (0050.jp2)
  32. 5.7 結言 / p93 (0052.jp2)
  33. 第6章 溶質“その場"合成LPE法による高純度GaAsの成長 / p97 (0054.jp2)
  34. 6.1 緒言 / p97 (0054.jp2)
  35. 6.2 溶質“その場"合成LPE法の原理 / p98 (0055.jp2)
  36. 6.3 実験方法 / p99 (0055.jp2)
  37. 6.4 実験結果および考察 / p101 (0056.jp2)
  38. 6.5 結言 / p105 (0058.jp2)
  39. 第7章 結論 / p107 (0059.jp2)
  40. 謝辞 / p110 (0061.jp2)
  41. 研究業績目録 / p111 (0061.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132042
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966665
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296356
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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