酸化物超伝導体を用いたトンネル接合に関する研究

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著者

    • 守屋, 雅隆 モリヤ, マサタカ

書誌事項

タイトル

酸化物超伝導体を用いたトンネル接合に関する研究

著者名

守屋, 雅隆

著者別名

モリヤ, マサタカ

学位授与大学

電気通信大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

博甲第84号

学位授与年月日

1996-03-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 要旨 / (0009.jp2)
  2. 目次 / (0011.jp2)
  3. 第1章 はじめに / p1 (0014.jp2)
  4. §1.1 トンネル分光と酸化物超伝導体 / p1 (0014.jp2)
  5. §1.2 酸化物超伝導体およびトンネル接合研究の歴史 / p3 (0016.jp2)
  6. §1.3 研究の背景と意義 / p5 (0018.jp2)
  7. §1.4 本研究の目的と対象 / p6 (0019.jp2)
  8. 第2章 Bi系超伝導体の特徴とトンネル接合 / p10 (0023.jp2)
  9. §2.1 Bi系超伝導体 / p10 (0023.jp2)
  10. §2.2 トンネル型ジョセフソン接合 / p14 (0027.jp2)
  11. §2.3 準粒子トンネルスペクトルに関する理論 / p14 (0027.jp2)
  12. §2.2.1 SINトンネル接合 / p14 (0027.jp2)
  13. §2.2.2 SISトンネル接合 / p17 (0030.jp2)
  14. 第3章 電極抵抗の効果 / p20 (0033.jp2)
  15. §3.1 電極抵抗の効果を考慮する重要性 / p20 (0033.jp2)
  16. §3.2 モデルに基づく電極抵抗の算出 / p20 (0033.jp2)
  17. §3.2.1 ウィンドウ型モデルにおける電極抵抗 / p22 (0035.jp2)
  18. §3.2.2 クロス型モデルにおける電極抵抗 / p24 (0037.jp2)
  19. §3.3 電極抵抗効果確認のためのモデル実験 / p25 (0038.jp2)
  20. §3.3.1 ウィンドウ型モデル / p25 (0038.jp2)
  21. §3.3.2 クロス型モデル / p26 (0039.jp2)
  22. §3.4 超伝導体における電極抵抗の効果 / p29 (0042.jp2)
  23. §3.5 電極抵抗の効果を用いたトンネル接合の故障解析 / p31 (0044.jp2)
  24. §3.6 トンネルスペクトル測定時における広がり抵抗の影響 / p33 (0046.jp2)
  25. §3.8 まとめ / p35 (0048.jp2)
  26. 第4章 実験方法 / p39 (0052.jp2)
  27. §4.1 実験の概要 / p39 (0052.jp2)
  28. §4.2 アニール膜における2223相の単相化条件 / p40 (0053.jp2)
  29. §4.2.1 ターゲットの作製 / p40 (0053.jp2)
  30. §4.2.2 モザイクターゲットを用いた2223相単相薄膜作製条件の模索 / p42 (0055.jp2)
  31. §4.3 ホローターゲットによるその場成長膜の作製条件 / p45 (0058.jp2)
  32. §4.4 ホローターゲットを用いた絶縁層および積層構造の形成 / p47 (0060.jp2)
  33. §4.4.1 ホローターゲットを用いたNiO層の形成 / p49 (0062.jp2)
  34. §4.5 トンネル接合の作製 / p49 (0062.jp2)
  35. §4.6 液体窒素トラップの効果 / p53 (0066.jp2)
  36. 第5章 BSCCO薄膜の単相化 / p57 (0070.jp2)
  37. §5.1 モザイクターゲットの効果 / p57 (0070.jp2)
  38. §5.1.1 モザイクターゲットの効果 / p57 (0070.jp2)
  39. §5.1.2 基板温度,ア二-ル条件の効果 / p58 (0071.jp2)
  40. §5.2 ホローターゲットを用いた2223相単相化の条件 / p63 (0076.jp2)
  41. §5.2.1 逆スパッタに関する実験 / p63 (0076.jp2)
  42. §5.2.2 組成を補正した場合 / p65 (0078.jp2)
  43. §5.3 アニール膜の表面モフォロジーとEPMA分析 / p68 (0081.jp2)
  44. §5.4 その場成長膜の特性 / p70 (0083.jp2)
  45. §5.4.1 スパッタ時の基板温度,スパッタガス圧の効果 / p71 (0084.jp2)
  46. §5.4.2 薄膜堆積後の酸素処理の効果 / p74 (0087.jp2)
  47. §5.5 まとめ / p81 (0094.jp2)
  48. 第6章 絶縁層の形成とトンネル接合の特性 / p84 (0097.jp2)
  49. §6.1 BSCCO薄膜上でのNiOx層の結晶構造 / p84 (0097.jp2)
  50. §6.2 NiO上でのBSCCO薄膜の結晶成長 / p88 (0101.jp2)
  51. §6.3 BSCCO/NiOx/BSCCO積層構造の深さ分析 / p88 (0101.jp2)
  52. §6.4 NiOバリア層を用いたトンネル接合の特性 / p92 (0105.jp2)
  53. §6.4.1 電極の広がり抵抗が現れた場合の特性 / p92 (0105.jp2)
  54. §6.4.2 ピンホールショートの防止 / p95 (0108.jp2)
  55. §6.4.2 アンドレーエフ反射を伴った特性 / p99 (0112.jp2)
  56. §6.4.3 ZBCPを伴わない特性-1~MIMモデルによる解析~ / p102 (0115.jp2)
  57. §6.4.4 ZBCPを伴わない特性-2~局在準位モデルによる解析~ / p111 (0124.jp2)
  58. §6.5 SIS接合の特性 / p115 (0128.jp2)
  59. §6.6 まとめ / p118 (0131.jp2)
  60. 第7章 まとめ / p123 (0136.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132156
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966777
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000296470
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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