昇温脱離ガス分光分析法による超LSI薄膜材料とプロセスの研究

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著者

    • 平下, 紀夫 ヒラシタ, ノリオ

書誌事項

タイトル

昇温脱離ガス分光分析法による超LSI薄膜材料とプロセスの研究

著者名

平下, 紀夫

著者別名

ヒラシタ, ノリオ

学位授与大学

電気通信大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

博乙第26号

学位授与年月日

1996-03-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Abstract / (0005.jp2)
  2. 目次 / p1 (0008.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0011.jp2)
  4. 1.1 超LSIの高集積化における本研究の役割 / p1 (0011.jp2)
  5. 1.2 本研究の目的 / p4 (0014.jp2)
  6. 1.3 本研究の概要 / p5 (0015.jp2)
  7. 参考文献 / p9 (0019.jp2)
  8. 第2章 昇温脱離ガス分光分析法 / p12 (0022.jp2)
  9. 2.1 昇温脱離分光分析法に関する従来の研究 / p12 (0022.jp2)
  10. 2.2 分析原理と測定技術 / p13 (0023.jp2)
  11. 2.3 脱離速度の絶対反応速度論的考察 / p16 (0026.jp2)
  12. 2.4 デバイス材料・プロセス評価に対する技術的課題 / p19 (0029.jp2)
  13. 2.5 結論 / p21 (0031.jp2)
  14. 参考文献 / p22 (0032.jp2)
  15. 第3章 高感度で簡便な昇温脱離ガス分光分析装置の開発 / p25 (0035.jp2)
  16. 3.1 まえがき / p25 (0035.jp2)
  17. 3.2 本研究で開発したTDS装置の構成と基本性能 / p26 (0036.jp2)
  18. 3.3 昇温脱離ガス特性の確認 / p29 (0039.jp2)
  19. 3.4 結論 / p31 (0041.jp2)
  20. 参考文献 / p32 (0042.jp2)
  21. 第4章 超LSIデバイス材料・プロセス評価に有効な本装置の基本性能 / p40 (0050.jp2)
  22. 4.1 まえがき / p40 (0050.jp2)
  23. 4.2 実験方法 / p41 (0051.jp2)
  24. 4.3 実験結果と考察 / p42 (0052.jp2)
  25. 4.4 結論 / p48 (0058.jp2)
  26. 参考文献 / p49 (0059.jp2)
  27. 第5章 無機酸化塗布膜からの脱ガス低減による多層配線の長寿命化-説離ガス特性の解析に基づく無機酸化塗布膜の構造解析- / p59 (0069.jp2)
  28. 5.1 まえがき / p59 (0069.jp2)
  29. 5.2 脱ガスによる多層Al配線欠損の発生 / p60 (0070.jp2)
  30. 5.3 欠損発生原因の解明 / p61 (0071.jp2)
  31. 5.4 脱ガス機構と膜構造の解析 / p63 (0073.jp2)
  32. 5.5 結論 / p67 (0077.jp2)
  33. 参考文献 / p68 (0078.jp2)
  34. 第6章 化学気相成長非晶質酸化膜からの脱ガス制御によるMOSFETの長寿命化-化学気相成長非晶質酸化膜の脱離ガスと構造の解析- / p81 (0091.jp2)
  35. 6.1 まえがき / p81 (0091.jp2)
  36. 6.2 実験方法 / p82 (0092.jp2)
  37. 6.3 脱離ガス機構と膜構造の解析 / p83 (0093.jp2)
  38. 6.4 MOSFETホットキャリア寿命劣化機構とその長寿命化 / p86 (0096.jp2)
  39. 6.5 結論 / p89 (0099.jp2)
  40. 付録 ゲート酸化膜中の電子トラップ及び界面準位の解析 / p90 (0100.jp2)
  41. 参考文献 / p93 (0103.jp2)
  42. 第7章 高精度ドライエッチング技術における反応の解析-フロロカーボン重合膜とSiとの熱及びイオン励起反応の解析- / p114 (0124.jp2)
  43. 7.1 はじめに / p114 (0124.jp2)
  44. 7.2 実験方法 / p116 (0126.jp2)
  45. 7.3 フロロカーボン重合膜とSiとの反応解析 / p117 (0127.jp2)
  46. 7.4 多層配線スルーホールエッチングの残留フッ化物の検出 / p120 (0130.jp2)
  47. 7.5 結論 / p121 (0131.jp2)
  48. 参考文献 / p122 (0132.jp2)
  49. 第8章 総括 / p132 (0142.jp2)
  50. 8.1 本研究の成果 / p132 (0142.jp2)
  51. 8.2 今後の展望 / p135 (0145.jp2)
  52. 参考文献 / p138 (0148.jp2)
  53. 謝辞 / p139 (0149.jp2)
  54. 付録 発表論文 / p140 (0150.jp2)
  55. 関連論文 / p140 (0150.jp2)
  56. 参考論文 / p142 (0152.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132171
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000966790
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000296485
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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