シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究 shinguru ion shosha ni yoru cho eruesuai no hoshasen taisei hyoka oyobi shinguru ion shosha sonsho ni kansuru kenkyu

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著者

    • 松川, 貴 マツカワ, タカシ

書誌事項

タイトル

シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究

タイトル別名

shinguru ion shosha ni yoru cho eruesuai no hoshasen taisei hyoka oyobi shinguru ion shosha sonsho ni kansuru kenkyu

著者名

松川, 貴

著者別名

マツカワ, タカシ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第1120号

学位授与年月日

1996-03-15

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲1120号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/3/15 ; 早大学位記番号:新2275 ; 理工学図書館請求番号:1923

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目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1部 シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p2 (0006.jp2)
  4. 1.1 研究の背景および目的 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.2 第1部の概要 / p6 (0010.jp2)
  6. 第2章 シングルイオンマイクロプローブを用いた放射線耐性評価システム / p8 (0012.jp2)
  7. 2.1 シングルイオンマイクロプローブの概要 / p9 (0013.jp2)
  8. 2.2 ソフトエラー耐性評価システムの開発 / p27 (0031.jp2)
  9. 2.3 シングルイオン誘起ノイズ電荷測定による放射線耐性評価 / p37 (0041.jp2)
  10. 2.4 第2章のまとめ / p43 (0047.jp2)
  11. 第3章 宇宙用Static Random Access Memory(SRAM)の放射線耐性評価 / p46 (0050.jp2)
  12. 3.1 宇宙用64kbitSRAMの概要 / p47 (0051.jp2)
  13. 3.2 メモリセル内のソフトエラー耐性の低い部位の特定 / p52 (0056.jp2)
  14. 3.3 ソフトエラー耐性のトータルドース依存性 / p61 (0065.jp2)
  15. 3.4 第3章のまとめ / p77 (0081.jp2)
  16. 第4章 民生用Dynamic Random Access Memory(DRAM)の放射線耐性評価 / p79 (0083.jp2)
  17. 4.1 評価対象デバイスの概要 / p80 (0084.jp2)
  18. 4.2 民生用DRAMの放射線環境下におけるソフトエラー耐性評価 / p87 (0091.jp2)
  19. 4.3 第4章のまとめ / p98 (0102.jp2)
  20. 第5章 収集電荷量測定による半導体デバイスへの放射線照射効果の解明 / p99 (0103.jp2)
  21. 5.1 pn接合ダイオードにおける収集電荷量測定 / p100 (0104.jp2)
  22. 5.2 CMOSデバイスのラッチアップ耐性評価 / p125 (0129.jp2)
  23. 5.3 第5章のまとめ / p141 (0145.jp2)
  24. 第6章 第1部の結論 / p143 (0147.jp2)
  25. 第2部 シングルイオン照射損傷に関する研究 / p146 (0150.jp2)
  26. 第1章 序論 / p147 (0151.jp2)
  27. 1.1 研究の背景と目的 / p147 (0151.jp2)
  28. 1.2 第2部の概要 / p150 (0154.jp2)
  29. 第2章 シングルイオン注入装置の開発 / p151 (0155.jp2)
  30. 2.1 シングルイオン注入装置開発の目的 / p152 (0156.jp2)
  31. 2.2 シングルイオン注入装置の開発 / p158 (0162.jp2)
  32. 2.3 第2章のまとめ / p184 (0188.jp2)
  33. 第3章 グラファイト上のシングルイオン照射痕の観察 / p186 (0190.jp2)
  34. 3.1 高配向性グラファイトの概要 / p187 (0191.jp2)
  35. 3.2 シングルイオン照射痕の観察 / p191 (0195.jp2)
  36. 3.3 第3章のまとめ / p199 (0203.jp2)
  37. 第4章 第2部の結論 / p201 (0205.jp2)
  38. 謝辞 / p202 (0206.jp2)
  39. 研究業績 / p203 (0207.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132398
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967014
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296712
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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