シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究 shinguru ion shosha ni yoru cho eruesuai no hoshasen taisei hyoka oyobi shinguru ion shosha sonsho ni kansuru kenkyu
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著者
書誌事項
- タイトル
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シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究
- タイトル別名
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shinguru ion shosha ni yoru cho eruesuai no hoshasen taisei hyoka oyobi shinguru ion shosha sonsho ni kansuru kenkyu
- 著者名
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松川, 貴
- 著者別名
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マツカワ, タカシ
- 学位授与大学
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早稲田大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第1120号
- 学位授与年月日
-
1996-03-15
注記・抄録
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1120号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/3/15 ; 早大学位記番号:新2275 ; 理工学図書館請求番号:1923
本文PDFは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルをPDFに変換したものである。
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目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1部 シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p2 (0006.jp2)
- 1.1 研究の背景および目的 / p2 (0006.jp2)
- 1.2 第1部の概要 / p6 (0010.jp2)
- 第2章 シングルイオンマイクロプローブを用いた放射線耐性評価システム / p8 (0012.jp2)
- 2.1 シングルイオンマイクロプローブの概要 / p9 (0013.jp2)
- 2.2 ソフトエラー耐性評価システムの開発 / p27 (0031.jp2)
- 2.3 シングルイオン誘起ノイズ電荷測定による放射線耐性評価 / p37 (0041.jp2)
- 2.4 第2章のまとめ / p43 (0047.jp2)
- 第3章 宇宙用Static Random Access Memory(SRAM)の放射線耐性評価 / p46 (0050.jp2)
- 3.1 宇宙用64kbitSRAMの概要 / p47 (0051.jp2)
- 3.2 メモリセル内のソフトエラー耐性の低い部位の特定 / p52 (0056.jp2)
- 3.3 ソフトエラー耐性のトータルドース依存性 / p61 (0065.jp2)
- 3.4 第3章のまとめ / p77 (0081.jp2)
- 第4章 民生用Dynamic Random Access Memory(DRAM)の放射線耐性評価 / p79 (0083.jp2)
- 4.1 評価対象デバイスの概要 / p80 (0084.jp2)
- 4.2 民生用DRAMの放射線環境下におけるソフトエラー耐性評価 / p87 (0091.jp2)
- 4.3 第4章のまとめ / p98 (0102.jp2)
- 第5章 収集電荷量測定による半導体デバイスへの放射線照射効果の解明 / p99 (0103.jp2)
- 5.1 pn接合ダイオードにおける収集電荷量測定 / p100 (0104.jp2)
- 5.2 CMOSデバイスのラッチアップ耐性評価 / p125 (0129.jp2)
- 5.3 第5章のまとめ / p141 (0145.jp2)
- 第6章 第1部の結論 / p143 (0147.jp2)
- 第2部 シングルイオン照射損傷に関する研究 / p146 (0150.jp2)
- 第1章 序論 / p147 (0151.jp2)
- 1.1 研究の背景と目的 / p147 (0151.jp2)
- 1.2 第2部の概要 / p150 (0154.jp2)
- 第2章 シングルイオン注入装置の開発 / p151 (0155.jp2)
- 2.1 シングルイオン注入装置開発の目的 / p152 (0156.jp2)
- 2.2 シングルイオン注入装置の開発 / p158 (0162.jp2)
- 2.3 第2章のまとめ / p184 (0188.jp2)
- 第3章 グラファイト上のシングルイオン照射痕の観察 / p186 (0190.jp2)
- 3.1 高配向性グラファイトの概要 / p187 (0191.jp2)
- 3.2 シングルイオン照射痕の観察 / p191 (0195.jp2)
- 3.3 第3章のまとめ / p199 (0203.jp2)
- 第4章 第2部の結論 / p201 (0205.jp2)
- 謝辞 / p202 (0206.jp2)
- 研究業績 / p203 (0207.jp2)