反射高速電子回折法による化合物半導体表面の構造解析および薄膜成長動的過程の評価 hansha kosoku denshi kaisetsuho ni yoru kagobutsu handotai hyomen no kozo kaiseki oyobi hakumaku seicho doteki katei no hyoka

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著者

    • 大竹, 晃浩 オオタケ, アキヒロ

書誌事項

タイトル

反射高速電子回折法による化合物半導体表面の構造解析および薄膜成長動的過程の評価

タイトル別名

hansha kosoku denshi kaisetsuho ni yoru kagobutsu handotai hyomen no kozo kaiseki oyobi hakumaku seicho doteki katei no hyoka

著者名

大竹, 晃浩

著者別名

オオタケ, アキヒロ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第1131号

学位授与年月日

1996-03-07

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲1131号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/3/7 ; 早大学位記番号:新2307 ; 理工学図書館請求番号:1977

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目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1.はじめに / p1 (0006.jp2)
  4. 1-2.本研究の目的 / p2 (0007.jp2)
  5. 1-3.本論文の概要 / p3 (0008.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p5 (0010.jp2)
  7. 第2章 反射高速電子回析法 / p6 (0011.jp2)
  8. 2-1.はじめに / p6 (0011.jp2)
  9. 2-2.RHEEDの基本原理 / p8 (0013.jp2)
  10. 2-3.RHEEDの動力学回析理論 / p14 (0019.jp2)
  11. 2-4.RHEED強度振動 / p27 (0032.jp2)
  12. 第2章の参考文献 / p33 (0038.jp2)
  13. 第3章 RHEED rocking curve を用いたInSb{111}表面解析 / p35 (0040.jp2)
  14. 3-1.はじめに / p35 (0040.jp2)
  15. 3-2.実験方法 / p37 (0042.jp2)
  16. 3-3.結果と考察 / p40 (0045.jp2)
  17. 3-4 結論 / p58 (0063.jp2)
  18. 第3章の参考文献 / p59 (0064.jp2)
  19. 第4章 InSb{111}表面上におけるα-Sn薄膜の動的成長過程 / p61 (0066.jp2)
  20. 4-1.はじめに / p61 (0066.jp2)
  21. 4-2.実験方法 / p62 (0067.jp2)
  22. 4-3.結果と考察 / p62 (0067.jp2)
  23. 4-4.結論 / p84 (0089.jp2)
  24. 第4章の参考文献 / p85 (0090.jp2)
  25. 第5章 結論 / p87 (0092.jp2)
  26. 謝辞 / (0094.jp2)
  27. 研究業績 / (0095.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132409
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967025
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296723
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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