反射高速電子回折法による化合物半導体表面の構造解析および薄膜成長動的過程の評価 hansha kosoku denshi kaisetsuho ni yoru kagobutsu handotai hyomen no kozo kaiseki oyobi hakumaku seicho doteki katei no hyoka
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書誌事項
- タイトル
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反射高速電子回折法による化合物半導体表面の構造解析および薄膜成長動的過程の評価
- タイトル別名
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hansha kosoku denshi kaisetsuho ni yoru kagobutsu handotai hyomen no kozo kaiseki oyobi hakumaku seicho doteki katei no hyoka
- 著者名
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大竹, 晃浩
- 著者別名
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オオタケ, アキヒロ
- 学位授与大学
-
早稲田大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第1131号
- 学位授与年月日
-
1996-03-07
注記・抄録
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1131号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/3/7 ; 早大学位記番号:新2307 ; 理工学図書館請求番号:1977
本文PDFは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルをPDFに変換したものである。
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目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1.はじめに / p1 (0006.jp2)
- 1-2.本研究の目的 / p2 (0007.jp2)
- 1-3.本論文の概要 / p3 (0008.jp2)
- 第1章の参考文献 / p5 (0010.jp2)
- 第2章 反射高速電子回析法 / p6 (0011.jp2)
- 2-1.はじめに / p6 (0011.jp2)
- 2-2.RHEEDの基本原理 / p8 (0013.jp2)
- 2-3.RHEEDの動力学回析理論 / p14 (0019.jp2)
- 2-4.RHEED強度振動 / p27 (0032.jp2)
- 第2章の参考文献 / p33 (0038.jp2)
- 第3章 RHEED rocking curve を用いたInSb{111}表面解析 / p35 (0040.jp2)
- 3-1.はじめに / p35 (0040.jp2)
- 3-2.実験方法 / p37 (0042.jp2)
- 3-3.結果と考察 / p40 (0045.jp2)
- 3-4 結論 / p58 (0063.jp2)
- 第3章の参考文献 / p59 (0064.jp2)
- 第4章 InSb{111}表面上におけるα-Sn薄膜の動的成長過程 / p61 (0066.jp2)
- 4-1.はじめに / p61 (0066.jp2)
- 4-2.実験方法 / p62 (0067.jp2)
- 4-3.結果と考察 / p62 (0067.jp2)
- 4-4.結論 / p84 (0089.jp2)
- 第4章の参考文献 / p85 (0090.jp2)
- 第5章 結論 / p87 (0092.jp2)
- 謝辞 / (0094.jp2)
- 研究業績 / (0095.jp2)