シリコン・ナノデバイス構築に向けたSiO[2]/Si界面物性制御の研究 shirikon nanodebaisu kochiku ni muketa esuaiotsu esuai kaimen bussei seigyo no kenkyu
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著者
書誌事項
- タイトル
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シリコン・ナノデバイス構築に向けたSiO[2]/Si界面物性制御の研究
- タイトル別名
-
shirikon nanodebaisu kochiku ni muketa esuaiotsu esuai kaimen bussei seigyo no kenkyu
- 著者名
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小野, 行徳
- 著者別名
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オノ, ユキノリ
- 学位授与大学
-
早稲田大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第1161号
- 学位授与年月日
-
1996-02-08
注記・抄録
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1161号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/2/8 ; 早大学位記番号:新2288 ; 理工学図書館請求番号:1949
本文PDFは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルをPDFに変換したものである。
text
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 シリコン･ナノデバイス研究の現状 / p1 (0005.jp2)
- 1-2 ナノデバイス材料としてのSiO₂/Si界面の重要性と課題 / p3 (0006.jp2)
- 1-3 本研究の目的と本論文の構成 / p4 (0007.jp2)
- 参考文献 / p5 (0007.jp2)
- 第2章 SiO₂/Si界面の熱的挙動 / p6 (0008.jp2)
- 2-1 SiO₂/Si界面の熱力学 / p6 (0008.jp2)
- 2-2 Si(111)7×7表面の熱酸化膜成長初期過程の観察 / p13 (0011.jp2)
- 2-3 極薄SIMOX-Si層の真空中における熱凝集過程の観察 / p39 (0024.jp2)
- 参考文献 / p62 (0036.jp2)
- 第3章 フッ素のSiO₂/Si界面偏析を利用した界面欠陥制御 / p66 (0038.jp2)
- 3-1 背景 / p66 (0038.jp2)
- 3-2 実験方法 / p74 (0042.jp2)
- 3-3 フッ素の熱拡散とSiO₂膜への偏析過程の観察 / p77 (0043.jp2)
- 3-4 SiO₂/Si界面近傍におけるフッ素の濃度分布 / p84 (0047.jp2)
- 3-5 フッ素界面偏析の熱処理雰囲気､基板面方位､および基板ドーパント濃度依存性 / p87 (0048.jp2)
- 3-6 界面欠陥密度とフッ素界面偏析量との関係 / p92 (0051.jp2)
- 3-7 考察 / p92 (0051.jp2)
- 3-8 まとめ / p96 (0053.jp2)
- 参考文献 / p97 (0053.jp2)
- 第4章 SiO₂膜を介するトンネル電流を用いた電子波干渉および量子閉じ込め効果の検出 / p101 (0055.jp2)
- 4-1 背景 / p101 (0055.jp2)
- 4-2 Fowler-Nordheim電流に見られる電子波干渉効果に対する有効質量の影響 / p108 (0059.jp2)
- 4-3 極薄SIMOX-Si層エッジに形成された量子閉じ込め状態のトンネル分光による検出 / p116 (0063.jp2)
- 参考文献 / p135 (0072.jp2)
- 第5章 極薄SIMOX-Si層のフォトルミネッセンス特性 / p136 (0073.jp2)
- 5-1 背景 / p136 (0073.jp2)
- 5-2 試料作製方法とフォトルミネッセンス測定方法 / p138 (0074.jp2)
- 5-3 フォトルミネッセンス測定結果 / p140 (0075.jp2)
- 5-4 まとめ / p154 (0082.jp2)
- 参考文献 / p155 (0082.jp2)
- 第6章 結論 / p156 (0083.jp2)
- 謝辞 / p159 (0084.jp2)
- 本論文に関する研究業績 / p160 (0085.jp2)
