金属シリサイドとその赤外線素子材料としての応用に関する研究 kinzoku shirisaido to sono sekigaisen soshi zairyo to shiteno oyo ni kansuru kenkyu

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著者

    • 小沼, 和夫 コヌマ, カズオ

書誌事項

タイトル

金属シリサイドとその赤外線素子材料としての応用に関する研究

タイトル別名

kinzoku shirisaido to sono sekigaisen soshi zairyo to shiteno oyo ni kansuru kenkyu

著者名

小沼, 和夫

著者別名

コヌマ, カズオ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1164号

学位授与年月日

1996-02-08

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙1164号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996-02-08 ; 早大学位記番号:新2291 ; 理工学図書館請求番号:1950

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 金属シリサイドの赤外線イメージセンサへの応用研究 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1.赤外線イメージセンサの必要性とセンサ材料の比較 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2.ショットキ型赤外線CCDイメージセンサの特徴と従来の研究開発 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3.本研究の概要 / p5 (0007.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p8 (0009.jp2)
  7. 第2章 Si(001)基板上でのPtSi成長方位と熱的安定性 / p11 (0010.jp2)
  8. 2-1.PtSi成長研究の重要性と現状 / p11 (0010.jp2)
  9. 2-2.実験方法 / p13 (0011.jp2)
  10. 2-3.XRD測定とSEM観察結果 / p13 (0011.jp2)
  11. 2-4.PtSi成長機構に関する考察 / p19 (0014.jp2)
  12. 2-5.まとめ / p27 (0018.jp2)
  13. 第2章の参考文献 / p29 (0019.jp2)
  14. 第3章 PtSi/p型Siショットキダイオードの光電変換特性 / p30 (0020.jp2)
  15. 3-1.ホットホール多重反射効果の検討の必要性 / p30 (0020.jp2)
  16. 3-2.ホトダイオードの作製方法 / p35 (0022.jp2)
  17. 3-3.測定方法および結果 / p36 (0023.jp2)
  18. 3-4.実効障壁位置を考慮した赤外線光電変換理論 / p40 (0025.jp2)
  19. 3-5.まとめ / p48 (0029.jp2)
  20. 第3章の参考文献 / p49 (0029.jp2)
  21. 第4章 低温動作CCDイメージセンサのためのデバイス構成の開発 / p50 (0030.jp2)
  22. 4-1.低温動作CCDイメージセンサ開発の意義 / p50 (0030.jp2)
  23. 4-2.低温動作に起因するフリーズアウト現象(問題点) / p53 (0031.jp2)
  24. 4-3.2種濃度CCD構成とその特長 / p54 (0032.jp2)
  25. 4-4.デバイス特性 / p63 (0036.jp2)
  26. 4-5.まとめ / p68 (0039.jp2)
  27. 第4章の参考文献 / p69 (0039.jp2)
  28. 第5章 2波長赤外線イメージセンサによる真温度遠隔測定 / p70 (0040.jp2)
  29. 5-1.赤外線2波長検出の必要性 / p70 (0040.jp2)
  30. 5-2.2波長赤外線イメージセンサの構成 / p71 (0040.jp2)
  31. 5-3.界面イオン注入法によるPtSiショットキダイオード分光感度特性制御 / p73 (0041.jp2)
  32. 5-4.2波長赤外線イメージセンサによる真温度と放射率の算出 / p73 (0041.jp2)
  33. 5-5.測定結果 / p78 (0044.jp2)
  34. 5-6.まとめ / p78 (0044.jp2)
  35. 第5章の参考文献 / p82 (0046.jp2)
  36. 第6章 金属シリサイドの赤外線イメージセンサへの応用研究 結論 / p83 (0046.jp2)
  37. 第6章の参考文献 / p85 (0047.jp2)
  38. 第7章 鉄シリサイドのエピタキシャル成長に関する研究 序論 / p86 (0048.jp2)
  39. 7-1.半導体性シリサイドである鉄シリサイドの従来の研究 / p86 (0048.jp2)
  40. 7-2.赤外線素子としての可能性と課題 / p89 (0049.jp2)
  41. 7-3.本研究の概要 / p91 (0050.jp2)
  42. 第7章の参考文献 / p98 (0054.jp2)
  43. 第8章 中速イオン散乱法によるSi(001)面上β-FeSi₂のエピタキシャル成長 / p101 (0055.jp2)
  44. 8-1.鉄ダイシリサイド成膜研究の意義 / p101 (0055.jp2)
  45. 8-2.実験方法 / p101 (0055.jp2)
  46. 8-3.結果 / p103 (0056.jp2)
  47. 8-4.β-FeSi₂の形成と熱的安定性 / p109 (0059.jp2)
  48. 8-5.結論 / p114 (0062.jp2)
  49. 第8章の参考文献 / p117 (0063.jp2)
  50. 第9章 鉄シリサイドのエピタキシャル成長に関する研究 結論 / p118 (0064.jp2)
  51. 謝辞 / p119 (0064.jp2)
  52. 発表論文リスト / p121 (0065.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132474
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967090
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296788
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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