大面積イオンドーピング技術の開発と薄膜トランジスタへの応用に関する研究 dai menseki ion dopingu gijutsu no kaihatsu to hakumaku toranjisuta eno oyo ni kansuru kenkyu

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著者

    • 吉田, 哲久 ヨシダ, アキヒサ

書誌事項

タイトル

大面積イオンドーピング技術の開発と薄膜トランジスタへの応用に関する研究

タイトル別名

dai menseki ion dopingu gijutsu no kaihatsu to hakumaku toranjisuta eno oyo ni kansuru kenkyu

著者名

吉田, 哲久

著者別名

ヨシダ, アキヒサ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1172号

学位授与年月日

1996-02-08

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙1172号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996-02-08 ; 早大学位記番号:新2299 ; 理工学図書館請求番号:1962

目次

  1. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  2. 1.1 液晶ディスプレイ(LCD)と薄膜トランジスタ(TFT) / p1 (0005.jp2)
  3. 1.2 AM-LCD用TFTとドーピング技術 / p3 (0006.jp2)
  4. 1.3 イオン注入技術 / p5 (0007.jp2)
  5. 1.4 研究の目的 / p7 (0008.jp2)
  6. 1.5 本論文の構成 / p7 (0008.jp2)
  7. 第1章の参考文献 / p10 (0010.jp2)
  8. 第2章 大面積イオンドーピング装置の試作とドーピングの均一性 / p12 (0011.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p12 (0011.jp2)
  10. 2.2 イオンドーピング装置の試作 / p20 (0015.jp2)
  11. 2.3 イオンドーピング装置の大型化とイオン照射の均一性 / p26 (0018.jp2)
  12. 2.4 イオン源構成の最適化と大面積イオンドーピング装置 / p30 (0020.jp2)
  13. 2.5 チャージアップの抑制とイオン引き出し系の構成 / p35 (0022.jp2)
  14. 2.6 第2章のまとめ / p42 (0026.jp2)
  15. 第2章の参考文献 / p42 (0026.jp2)
  16. 第3章 大面積イオンドーピングにおける注入分布とイオン種 / p45 (0027.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p45 (0027.jp2)
  18. 3.2 大面積イオンドーピングによる不純物の注入分布 / p54 (0032.jp2)
  19. 3.3 イオンドーピングによって注入されたイオン種とその量 / p60 (0035.jp2)
  20. 3.4 イオンドーピングされた元素の熱処理による拡散・再分布 / p66 (0038.jp2)
  21. 3.5 第3章のまとめ / p68 (0039.jp2)
  22. 第3章の参考文献 / p69 (0039.jp2)
  23. 第4章 a-Si:Hへの大面積イオンドーピングにおける水素の効果 / p71 (0040.jp2)
  24. 4.1 はじめに / p71 (0040.jp2)
  25. 4.2 a-Si:HへのP⁺,水素イオン同時注入による水素の影響 / p73 (0041.jp2)
  26. 4.3 a-Si:Hに生ずる注入欠陥に対する水素の効果 / p77 (0043.jp2)
  27. 4.4 第4章のまとめ / p84 (0047.jp2)
  28. 第4章の参考文献 / p84 (0047.jp2)
  29. 第5章 イオンドーピングを行ったa-Si:Hの電気特性 / p86 (0048.jp2)
  30. 5.1 はじめに / p86 (0048.jp2)
  31. 5.2 加熱イオンドーピングによるa-Si:Hの電気伝導率制御 / p88 (0049.jp2)
  32. 5.3 室温イオンドーピングによるa一Si:Hの電気伝導率制御と熱処理効果 / p93 (0051.jp2)
  33. 5.4 第5章のまとめ / p98 (0054.jp2)
  34. 第5章の参考文献 / p98 (0054.jp2)
  35. 第6章 大面積イオンドーピングのa-Si:H TFT作製への応用 / p100 (0055.jp2)
  36. 6.1 はじめに / p100 (0055.jp2)
  37. 6.2 a-Si:H TFT作製プロセスの検討 / p108 (0059.jp2)
  38. 6.3 a-Si:H TFTの作製 / p115 (0062.jp2)
  39. 6.4 第6章のまとめ / p123 (0066.jp2)
  40. 第6章の参考文献 / p123 (0066.jp2)
  41. 第7章 総括 / p125 (0067.jp2)
  42. 謝辞 / p128 (0069.jp2)
  43. 研究業績 / p129 (0069.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132482
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967098
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296796
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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