大面積イオンドーピング技術の開発と薄膜トランジスタへの応用に関する研究 dai menseki ion dopingu gijutsu no kaihatsu to hakumaku toranjisuta eno oyo ni kansuru kenkyu
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著者
書誌事項
- タイトル
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大面積イオンドーピング技術の開発と薄膜トランジスタへの応用に関する研究
- タイトル別名
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dai menseki ion dopingu gijutsu no kaihatsu to hakumaku toranjisuta eno oyo ni kansuru kenkyu
- 著者名
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吉田, 哲久
- 著者別名
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ヨシダ, アキヒサ
- 学位授与大学
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早稲田大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第1172号
- 学位授与年月日
-
1996-02-08
注記・抄録
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1172号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996-02-08 ; 早大学位記番号:新2299 ; 理工学図書館請求番号:1962
目次
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 液晶ディスプレイ(LCD)と薄膜トランジスタ(TFT) / p1 (0005.jp2)
- 1.2 AM-LCD用TFTとドーピング技術 / p3 (0006.jp2)
- 1.3 イオン注入技術 / p5 (0007.jp2)
- 1.4 研究の目的 / p7 (0008.jp2)
- 1.5 本論文の構成 / p7 (0008.jp2)
- 第1章の参考文献 / p10 (0010.jp2)
- 第2章 大面積イオンドーピング装置の試作とドーピングの均一性 / p12 (0011.jp2)
- 2.1 はじめに / p12 (0011.jp2)
- 2.2 イオンドーピング装置の試作 / p20 (0015.jp2)
- 2.3 イオンドーピング装置の大型化とイオン照射の均一性 / p26 (0018.jp2)
- 2.4 イオン源構成の最適化と大面積イオンドーピング装置 / p30 (0020.jp2)
- 2.5 チャージアップの抑制とイオン引き出し系の構成 / p35 (0022.jp2)
- 2.6 第2章のまとめ / p42 (0026.jp2)
- 第2章の参考文献 / p42 (0026.jp2)
- 第3章 大面積イオンドーピングにおける注入分布とイオン種 / p45 (0027.jp2)
- 3.1 はじめに / p45 (0027.jp2)
- 3.2 大面積イオンドーピングによる不純物の注入分布 / p54 (0032.jp2)
- 3.3 イオンドーピングによって注入されたイオン種とその量 / p60 (0035.jp2)
- 3.4 イオンドーピングされた元素の熱処理による拡散・再分布 / p66 (0038.jp2)
- 3.5 第3章のまとめ / p68 (0039.jp2)
- 第3章の参考文献 / p69 (0039.jp2)
- 第4章 a-Si:Hへの大面積イオンドーピングにおける水素の効果 / p71 (0040.jp2)
- 4.1 はじめに / p71 (0040.jp2)
- 4.2 a-Si:HへのP⁺,水素イオン同時注入による水素の影響 / p73 (0041.jp2)
- 4.3 a-Si:Hに生ずる注入欠陥に対する水素の効果 / p77 (0043.jp2)
- 4.4 第4章のまとめ / p84 (0047.jp2)
- 第4章の参考文献 / p84 (0047.jp2)
- 第5章 イオンドーピングを行ったa-Si:Hの電気特性 / p86 (0048.jp2)
- 5.1 はじめに / p86 (0048.jp2)
- 5.2 加熱イオンドーピングによるa-Si:Hの電気伝導率制御 / p88 (0049.jp2)
- 5.3 室温イオンドーピングによるa一Si:Hの電気伝導率制御と熱処理効果 / p93 (0051.jp2)
- 5.4 第5章のまとめ / p98 (0054.jp2)
- 第5章の参考文献 / p98 (0054.jp2)
- 第6章 大面積イオンドーピングのa-Si:H TFT作製への応用 / p100 (0055.jp2)
- 6.1 はじめに / p100 (0055.jp2)
- 6.2 a-Si:H TFT作製プロセスの検討 / p108 (0059.jp2)
- 6.3 a-Si:H TFTの作製 / p115 (0062.jp2)
- 6.4 第6章のまとめ / p123 (0066.jp2)
- 第6章の参考文献 / p123 (0066.jp2)
- 第7章 総括 / p125 (0067.jp2)
- 謝辞 / p128 (0069.jp2)
- 研究業績 / p129 (0069.jp2)