ULSI多層配線形成のための化学気相成長を用いた銅成膜技術に関する研究 yueruesuai taso haisen keisei no tameno kagaku kiso seicho o mochiita doseimaku gijutsu ni kansuru kenkyu

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著者

    • 粟屋, 信義 アワヤ, ノブヨシ

書誌事項

タイトル

ULSI多層配線形成のための化学気相成長を用いた銅成膜技術に関する研究

タイトル別名

yueruesuai taso haisen keisei no tameno kagaku kiso seicho o mochiita doseimaku gijutsu ni kansuru kenkyu

著者名

粟屋, 信義

著者別名

アワヤ, ノブヨシ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1176号

学位授与年月日

1996-03-07

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙1176号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996-03-07 ; 早大学位記番号:新2322 ; 理工学図書館請求番号:2000

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 緒言 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 本研究の位置付け / p3 (0006.jp2)
  5. 参照文献 / p9 (0009.jp2)
  6. 第2章 プラズマ励起CVDによる銅膜堆積 / p13 (0011.jp2)
  7. 2-1 緒言 / p13 (0011.jp2)
  8. 2-2 実験方法 / p13 (0011.jp2)
  9. 2-3 結果と考察 / p15 (0012.jp2)
  10. 2-4 考察 / p21 (0015.jp2)
  11. 2-5 要約 / p24 (0017.jp2)
  12. 参照文献 / p24 (0017.jp2)
  13. 第3章 熱CVDを用いた銅選択成長と多層配線ビア埋め込みへの応用 / p27 (0018.jp2)
  14. 3-1 緒言 / p27 (0018.jp2)
  15. 3-2 銅CVDの成膜特性 / p28 (0019.jp2)
  16. 3-3 銅配線プロセスへの応用 / p38 (0024.jp2)
  17. 3-4 考察 / p44 (0027.jp2)
  18. 3-5 要約 / p57 (0033.jp2)
  19. 参照文献 / p58 (0034.jp2)
  20. 第4章 銅ビスヘキサフロロアスチルアセトナトを用いた銅CVDに於ける水蒸気添加による堆積速度の高速化と膜質向上 / p61 (0035.jp2)
  21. 4-1 緒言 / p61 (0035.jp2)
  22. 4-2 実験 / p61 (0035.jp2)
  23. 4-3 結果と考察 / p63 (0036.jp2)
  24. 4-4 要約 / p71 (0040.jp2)
  25. 参照文献 / p71 (0040.jp2)
  26. 第5章 Cu(hfac)(tmvs)を原料に用いた銅CVDにおけるキャリアガスの影響 / p74 (0042.jp2)
  27. 5-1 緒言 / p74 (0042.jp2)
  28. 5-2 実験方法 / p75 (0042.jp2)
  29. 5-3 結果と考察 / p77 (0043.jp2)
  30. 5-4 要約 / p87 (0048.jp2)
  31. 参照文献 / p90 (0050.jp2)
  32. 第6章 銅1価及び2価錯体を原料に用いたCVDに於けるヘキサフロロアセチルアセトン添加効果 / p92 (0051.jp2)
  33. 6-1 緒言 / p92 (0051.jp2)
  34. 6-2 実験 / p93 (0051.jp2)
  35. 6-3 結果 / p95 (0052.jp2)
  36. 6-4 考察 / p103 (0056.jp2)
  37. 6-5 要約 / p105 (0057.jp2)
  38. 参照文献 / p105 (0057.jp2)
  39. 第7章 銅配線プロセス汚染の評価及び銅配線を応用した0.25μmCMOSの電気特性 / p108 (0059.jp2)
  40. 7-1 緒言 / p108 (0059.jp2)
  41. 7-2 銅配線プロセスの評価 / p108 (0059.jp2)
  42. 7-3 銅配線の0.25μmCMOSへの適用、電気特性 / p113 (0061.jp2)
  43. 7-4 要約 / p122 (0066.jp2)
  44. 参照文献 / p122 (0066.jp2)
  45. 第8章 結論 / p125 (0067.jp2)
  46. 謝辞 / p130 (0070.jp2)
  47. 業績リスト / p131 (0070.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132486
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967102
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000296800
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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