SiCの物性制御とデバイス化の研究

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著者

    • 上野, 勝典 ウエノ, カツノリ

書誌事項

タイトル

SiCの物性制御とデバイス化の研究

著者名

上野, 勝典

著者別名

ウエノ, カツノリ

学位授与大学

山梨大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第31号

学位授与年月日

1996-03-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1章 はじめに / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景・・・シリコンパワーデバイスの課題 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論の構成 / p8 (0009.jp2)
  5. 2章 SiCの物性とパワーデバイス / p9 (0009.jp2)
  6. 2.1 結晶と物性 / p9 (0009.jp2)
  7. 2.2 パワーデバイスの特性計算 / p20 (0015.jp2)
  8. 3章 デバイス作成プロセスの検討 / p41 (0025.jp2)
  9. 3.1 熱酸化 / p42 (0026.jp2)
  10. 3.2 プラズマドーピング / p106 (0058.jp2)
  11. 3.3 ショットキー電極 / p115 (0062.jp2)
  12. 4章 MOS特性 / p121 (0065.jp2)
  13. 4.1 C-V特性 / p121 (0065.jp2)
  14. 4.2 横形MOSFETの特性と評価 / p131 (0070.jp2)
  15. 5章 パワーデバイスの試作 / p150 (0080.jp2)
  16. 5.1 高耐圧ショットキーダイオード / p150 (0080.jp2)
  17. 5.2 縦形MOSFET / p160 (0085.jp2)
  18. 6章 SiCの問題点 / p168 (0089.jp2)
  19. 6.1 材料としての課題・・・プロセスの観点から / p168 (0089.jp2)
  20. 6.2 デバイスとしての課題 / p171 (0090.jp2)
  21. 7章 結論 / p175 (0092.jp2)
  22. 参考文献 / p176 (0093.jp2)
  23. 学会発表一覧 / p180 (0095.jp2)
  24. 謝辞 / p183 (0096.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132566
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967182
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000296880
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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