SiCの物性制御とデバイス化の研究
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
SiCの物性制御とデバイス化の研究
- 著者名
-
上野, 勝典
- 著者別名
-
ウエノ, カツノリ
- 学位授与大学
-
山梨大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第31号
- 学位授与年月日
-
1996-03-22
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 1章 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景･･･シリコンパワーデバイスの課題 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本論の構成 / p8 (0009.jp2)
- 2章 SiCの物性とパワーデバイス / p9 (0009.jp2)
- 2.1 結晶と物性 / p9 (0009.jp2)
- 2.2 パワーデバイスの特性計算 / p20 (0015.jp2)
- 3章 デバイス作成プロセスの検討 / p41 (0025.jp2)
- 3.1 熱酸化 / p42 (0026.jp2)
- 3.2 プラズマドーピング / p106 (0058.jp2)
- 3.3 ショットキー電極 / p115 (0062.jp2)
- 4章 MOS特性 / p121 (0065.jp2)
- 4.1 C-V特性 / p121 (0065.jp2)
- 4.2 横形MOSFETの特性と評価 / p131 (0070.jp2)
- 5章 パワーデバイスの試作 / p150 (0080.jp2)
- 5.1 高耐圧ショットキーダイオード / p150 (0080.jp2)
- 5.2 縦形MOSFET / p160 (0085.jp2)
- 6章 SiCの問題点 / p168 (0089.jp2)
- 6.1 材料としての課題･･･プロセスの観点から / p168 (0089.jp2)
- 6.2 デバイスとしての課題 / p171 (0090.jp2)
- 7章 結論 / p175 (0092.jp2)
- 参考文献 / p176 (0093.jp2)
- 学会発表一覧 / p180 (0095.jp2)
- 謝辞 / p183 (0096.jp2)