Study of ion-implantations into Al[x]Ga[1-x]As and its applications to heterojunction bipolar transistors Al[x]Ga[1-x]As中へのイオン注入及びヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究

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著者

    • 山幡, 章司 ヤマハタ, ショウジ

書誌事項

タイトル

Study of ion-implantations into Al[x]Ga[1-x]As and its applications to heterojunction bipolar transistors

タイトル別名

Al[x]Ga[1-x]As中へのイオン注入及びヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究

著者名

山幡, 章司

著者別名

ヤマハタ, ショウジ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

乙第4896号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. CONTENTS / (0003.jp2)
  2. Chapter1 Introduction / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1.Background of ion implantation / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2.Background of AlGaAs/GaAs heterostructure / p3 (0006.jp2)
  5. 1-3.Objective / p4 (0007.jp2)
  6. 1-4.Outline for the thesis / p6 (0008.jp2)
  7. References / p11 (0010.jp2)
  8. Chapter2 Be-ion implantation in AlxGa₁₋xAs / p13 (0011.jp2)
  9. 2-1.Introduction / p13 (0011.jp2)
  10. 2-2.Experimental / p14 (0012.jp2)
  11. 2-3.Results / p15 (0012.jp2)
  12. 2-4.Discussions on the low Be activity in AlxGa₁₋xAs / p31 (0020.jp2)
  13. 2-5.Conclusions / p34 (0022.jp2)
  14. References / p36 (0023.jp2)
  15. Chapter3 Dual implantation in AlxGa₁₋xAs / p38 (0024.jp2)
  16. 3-1.Introduction / p38 (0024.jp2)
  17. 3-2.Experimental / p38 (0024.jp2)
  18. 3-3.Results and discussions / p39 (0024.jp2)
  19. 3-4.Conclusions / p46 (0028.jp2)
  20. References / p47 (0028.jp2)
  21. Chapter4 Electrical properties of Be-ion-implanted AlxGa₁₋xAs p-n junctions / p48 (0029.jp2)
  22. 4-1.Introduction / p48 (0029.jp2)
  23. 4-2.Experimental / p49 (0029.jp2)
  24. 4-3.Results and discussions / p51 (0030.jp2)
  25. 4-4.Conclusions / p69 (0039.jp2)
  26. References / p70 (0040.jp2)
  27. Chapter5 Oxygen-ion implantation for applications to heterojunction bipolar transistors / p71 (0040.jp2)
  28. 5-1.Introduction / p71 (0040.jp2)
  29. 5-2.Characteristics of oxygen-ion-implanted AlGaAs/GaAs diodes / p79 (0044.jp2)
  30. 5-3.Characteristics of the oxygen-ion-implanted collector-up HBTs / p84 (0047.jp2)
  31. 5-4.Conclusions / p96 (0053.jp2)
  32. References / p98 (0054.jp2)
  33. Chapter6 High-performance small scale collector-up AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors / p100 (0055.jp2)
  34. 6-1.Introduction / p100 (0055.jp2)
  35. 6-2.Device fabrication process / p103 (0056.jp2)
  36. 6-3.DC characteristics / p103 (0056.jp2)
  37. 6-4.RF characteristics / p114 (0062.jp2)
  38. 6-5.Conclusions / p118 (0064.jp2)
  39. References / p119 (0064.jp2)
  40. Chapter7 Summary of this study / p120 (0065.jp2)
  41. Acknowledgment / p124 (0067.jp2)
  42. Appendix A InP/InGaAs collector-up heterojunction bipolar transistors fabricated using Fe-ion implantation / p125 (0067.jp2)
  43. A-1.Introduction / p125 (0067.jp2)
  44. A-2.Diode characteristics of Fe-ion-implanted InGaAs/InP p-n junctions / p126 (0068.jp2)
  45. A-3.Fabrication of C-up HBT using Fe-ion-implantation and regrowth / p129 (0069.jp2)
  46. A-4.DC and RF characteristics of C-up HBTs / p133 (0071.jp2)
  47. A-5.Conclusions / p133 (0071.jp2)
  48. References / p135 (0072.jp2)
  49. List of publications / p136 (0073.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000132963
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967539
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000297277
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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