Surface tunnel transistors (STTs) : new lateral interband tunneling devices 表面トンネルトランジスタ(STTs) : 新横型バンド間トンネル素子

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著者

    • 植村, 哲也 ウエムラ, テツヤ

書誌事項

タイトル

Surface tunnel transistors (STTs) : new lateral interband tunneling devices

タイトル別名

表面トンネルトランジスタ(STTs) : 新横型バンド間トンネル素子

著者名

植村, 哲也

著者別名

ウエムラ, テツヤ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第9267号

学位授与年月日

1996-05-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. CONTENTS / p7 (0006.jp2)
  3. Abstract / p3 (0004.jp2)
  4. Acknowledgments / p5 (0005.jp2)
  5. I.INTRODUCTION / p1 (0008.jp2)
  6. 1-1.Background / p1 (0008.jp2)
  7. 1-2.Surface Tunnel Transistor(STT) / p2 (0009.jp2)
  8. References: / p4 (0010.jp2)
  9. II.OPERATION PRINCIPLE / p7 (0011.jp2)
  10. 2-1.Introduction / p7 (0011.jp2)
  11. 2-2.Interband Tunneling / p7 (0011.jp2)
  12. 2-3.Operation Principle of STT / p14 (0015.jp2)
  13. 2-4.Discussion / p16 (0016.jp2)
  14. 2-5.Summary / p17 (0016.jp2)
  15. Appendix: / p18 (0017.jp2)
  16. References: / p20 (0018.jp2)
  17. III.DEVICE SIMULATION / (0018.jp2)
  18. 3-1.Introduction / p21 (0018.jp2)
  19. 3-2.GaAs-STT / p21 (0018.jp2)
  20. 3-3.Si-STT / p30 (0023.jp2)
  21. 3-4.Discussion / p38 (0027.jp2)
  22. 3-5.Summary / p40 (0028.jp2)
  23. References: / p40 (0028.jp2)
  24. IV.MOLECULAR BEAM EPITAXIAL REGROWTH WITH HYDROGEN CLEANING / p43 (0029.jp2)
  25. 4-1.Introduction / p43 (0029.jp2)
  26. 4-2.MBE Regrowth System / p44 (0030.jp2)
  27. 4-3.Electrical Properties of MBE-regrown Interfaces / p46 (0031.jp2)
  28. 4-4.Results / p49 (0032.jp2)
  29. 4-5.Discussion / p55 (0035.jp2)
  30. 4-6.Summary / p58 (0037.jp2)
  31. References: / p59 (0037.jp2)
  32. V.MESA-TYPE SURFACE TUNNEL TRANSISTOR / p61 (0038.jp2)
  33. 5-1.Introduction / p61 (0038.jp2)
  34. 5-2.Device Structure / p61 (0038.jp2)
  35. 5-3.Device Fabrication / p62 (0039.jp2)
  36. 5-4.Transistor Characteristics / p66 (0041.jp2)
  37. 5-5.Discussion / p76 (0046.jp2)
  38. 5-6.Summary / p80 (0048.jp2)
  39. References: / p81 (0048.jp2)
  40. VI.PLANAR-TYPE SURFACE TUNNEL TRANSISTOR / p83 (0049.jp2)
  41. 6-1.Introduction / p83 (0049.jp2)
  42. 6-2.Device Structure / p83 (0049.jp2)
  43. 6-3.Device Fabrication / p84 (0050.jp2)
  44. 6-4.Transistor Characteristics / p86 (0051.jp2)
  45. 6-5.Discussion / p88 (0052.jp2)
  46. 6-6.Summary / p92 (0054.jp2)
  47. References: / p92 (0054.jp2)
  48. VII.CIRCUIT APPLICATION / p95 (0055.jp2)
  49. 7-1.Introduction / p95 (0055.jp2)
  50. 7-2.Bistable Circuit / p95 (0055.jp2)
  51. 7-3.Demonstration of Bistable Operation / p96 (0056.jp2)
  52. 7-4.Discussion / p98 (0057.jp2)
  53. 7-5.Summary / p100 (0058.jp2)
  54. References: / p100 (0058.jp2)
  55. VIII.CONCLUSION / p101 (0058.jp2)
  56. ADDENDUM / p105 (0060.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133190
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967760
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000297504
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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