Studies on GaAs-based light-emitting devices on Si substrates for optoelectronic integrated circuits 光電子集積回路に向けたSi基板上GaAs系発光デバイスに関する研究

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著者

    • 長谷川, 義晃 ハセガワ, ヨシアキ

書誌事項

タイトル

Studies on GaAs-based light-emitting devices on Si substrates for optoelectronic integrated circuits

タイトル別名

光電子集積回路に向けたSi基板上GaAs系発光デバイスに関する研究

著者名

長谷川, 義晃

著者別名

ハセガワ, ヨシアキ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第164号

学位授与年月日

1996-03-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / p1 (0003.jp2)
  2. Chapter1.Introduction / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 Background / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs on Si / p5 (0007.jp2)
  5. 1.3 Device Applications: Light-Emitting Devices on Si / p7 (0008.jp2)
  6. 1.4 Purpose and Organization of Dissertation / p8 (0009.jp2)
  7. References / p12 (0011.jp2)
  8. Chapter2.Degradation Mechanisms of AlGaAs/GaAs Quantum Well Lasers on Si Substrates / p19 (0014.jp2)
  9. 2.1 Introduction / p19 (0014.jp2)
  10. 2.2 Epitaxial Growth and Fabrication Process / p19 (0014.jp2)
  11. 2.3 Influences of DLDs on Lasing Characteristics / p23 (0016.jp2)
  12. 2.4 Dependence of DLD Growth Velocity on Injected Current Density / p31 (0020.jp2)
  13. 2.5 Conclusions / p38 (0024.jp2)
  14. References / p41 (0025.jp2)
  15. Chapter3.AlGaAs/InGaAs Quantum Well Lasers on Si Substrates with InGaAs Intermediate Layers / p43 (0026.jp2)
  16. 3.1 Introduction / p43 (0026.jp2)
  17. 3.2 Epitaxial Growth and Fabrication Process / p44 (0027.jp2)
  18. 3.3 Lasing Characteristics / p49 (0029.jp2)
  19. 3.4 Reliability and Degradation Mechanism / p59 (0034.jp2)
  20. 3.5 Increased Lifetime of AlGaAs/InGaAs Laser on Si by Post-Growth Annealing / p66 (0038.jp2)
  21. 3.6 Conclusions / p73 (0041.jp2)
  22. References / p75 (0042.jp2)
  23. Chapter4.AlGaAs/GaAs Light-Emitting Devices on Si Substrates with Small Active Regions / p79 (0044.jp2)
  24. 4.1 Introduction / p79 (0044.jp2)
  25. 4.2 AlGaAs/GaAs Quantum Wire-Like Lasers on V-Grooved GaAs/Si Substrates / p80 (0045.jp2)
  26. 4.3 AlGaAs/GaAs LEDs on Si with Self-Formed GaAs Islands Active Regions / p92 (0051.jp2)
  27. 4.4 Conclusions / p104 (0057.jp2)
  28. References / p105 (0057.jp2)
  29. Chapter5.AlGaAs/GaAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers on Si Substrates / p109 (0059.jp2)
  30. 5.1 Introduction / p109 (0059.jp2)
  31. 5.2 Room-Temperature Pulsed Operation / p109 (0059.jp2)
  32. 5.3 Low-Temperature CW Operation / p119 (0064.jp2)
  33. 5.4 Conclusions / p128 (0069.jp2)
  34. References / p129 (0069.jp2)
  35. Chapter6.Summary / p132 (0071.jp2)
  36. Acknowledgements / p135 (0072.jp2)
  37. List of Publications / p137 (0073.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133211
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967781
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000297525
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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