有機金属気相成長法による化合物半導体の生産技術に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
有機金属気相成長法による化合物半導体の生産技術に関する研究
- 著者名
-
松本, 功
- 著者別名
-
マツモト, コウ
- 学位授与大学
-
名古屋工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第97号
- 学位授与年月日
-
1996-03-15
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0002.jp2)
- 第1章 はじめに / p1 (0003.jp2)
- 1-1.はじめに / p1 (0003.jp2)
- 1-2.研究の背景;MOVPEの開発史 / p1 (0003.jp2)
- 1-3.本研究の論文構成 / p4 (0005.jp2)
- 第1章の参考文献 / p9 (0007.jp2)
- 第2章 MOVVPE装置の構成 / p11 (0008.jp2)
- 2-1.はじめに / p11 (0008.jp2)
- 2-2.装置構成と各部の構造 / p11 (0008.jp2)
- 第2章の参考文献 / p13 (0009.jp2)
- 第3章 流れと成長の関係 / p19 (0012.jp2)
- 3-1.はじめに / p19 (0012.jp2)
- 3-2.縦型リアクタ / p19 (0012.jp2)
- 3-3.水平型リアクタのスケーリング / p38 (0022.jp2)
- 3-4.第3章のまとめ / p48 (0027.jp2)
- 3-5.付録 / p48 (0027.jp2)
- 第3章の参考文献 / p56 (0031.jp2)
- 第4章 量産MOVPE装置 / p57 (0031.jp2)
- 4-1.はじめに / p57 (0031.jp2)
- 4-2.エピタキシャルコスト分析 / p59 (0032.jp2)
- 4-3.フェースダウン量産MOVPE装置 / p65 (0035.jp2)
- 4-4.第4章のまとめ / p77 (0041.jp2)
- 第4章の参考文献 / p77 (0041.jp2)
- 第5章 ヘテロ界面形成と量子井戸構造の成長 / p79 (0042.jp2)
- 5-1.はじめに / p79 (0042.jp2)
- 5-2. AlGaAs/GaAs量子井戸構造の成長 / p79 (0042.jp2)
- 5-3. InGaP/GaAs界面の制御と量子井戸構造の成長 / p93 (0049.jp2)
- 5-4.第5章のまとめ / p104 (0055.jp2)
- 5-5.付録:結晶成長のKosselモデル / p104 (0055.jp2)
- 第5章の参考文献 / p110 (0058.jp2)
- 第6章 原料ガス中の不純物の影響 / p113 (0059.jp2)
- 6-1.はじめに / p113 (0059.jp2)
- 6-2.AsH₃中のN型不純物の低減 / p113 (0059.jp2)
- 6-3.N型AlGaAsの100meVディープ発光と水分の関係 / p119 (0062.jp2)
- 6-4.第6章のまとめ / p133 (0069.jp2)
- 第6章の参考文献 / p133 (0069.jp2)
- 第7章 成長様式に及ぼす不純物の影響GaAsへのCdドーピング;不純物に誘起された核発生 / p135 (0070.jp2)
- 7-1.はじめに / p135 (0070.jp2)
- 7-2.実験 / p136 (0071.jp2)
- 7-3.結果と考察 / p136 (0071.jp2)
- 7-4.不純物に誘起された核発生があるときのドーピングモデル / p137 (0071.jp2)
- 7-5.第7章のまとめ / p140 (0073.jp2)
- 第7章の参考文献 / p150 (0078.jp2)
- 第8章 結論 / p151 (0078.jp2)
- 謝辞 / p153 (0079.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p155 (0080.jp2)