Semiconductor lasers and high electron mobility transistors (HEMTs) using InP-related materials InP関連材料を用いた半導体レーザと高電子移動度トランジスタに関する研究

この論文をさがす

著者

    • 吉田, 直人 ヨシダ, ナオヒト

書誌事項

タイトル

Semiconductor lasers and high electron mobility transistors (HEMTs) using InP-related materials

タイトル別名

InP関連材料を用いた半導体レーザと高電子移動度トランジスタに関する研究

著者名

吉田, 直人

著者別名

ヨシダ, ナオヒト

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第98号

学位授与年月日

1996-03-15

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / p1 (0003.jp2)
  2. 1.General Introduction / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1.InP-related compounds material / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2.Application to semiconductor lasers / p3 (0006.jp2)
  5. 1.3.Application to electron devices / p5 (0007.jp2)
  6. 1.4.Purposes and summary / p6 (0008.jp2)
  7. References / p14 (0012.jp2)
  8. 2.Fabrication of InGaAsP/InP DFB Laser by MOCVD / p16 (0013.jp2)
  9. 2.1.Introduction / p16 (0013.jp2)
  10. 2.2.MOCVD growth of InGaAsP / p16 (0013.jp2)
  11. 2.3.Growth on corrugated substrates / p24 (0017.jp2)
  12. 2.4.Fabrication of InGaAsP/InP DFB laser / p28 (0019.jp2)
  13. 2.5.Device characteristics / p32 (0021.jp2)
  14. 2.6.Conclusion / p32 (0021.jp2)
  15. References / p38 (0024.jp2)
  16. 3.InGaAsP/InP DFB Laser with a New Grating Structure by MOCVD / p39 (0024.jp2)
  17. 3.1.Introduction / p39 (0024.jp2)
  18. 3.2.Approach to improve the controllability of coupling constant / p39 (0024.jp2)
  19. 3.3.Fabrication procedure / p43 (0026.jp2)
  20. 3.4.Device characteristics / p43 (0026.jp2)
  21. 3.5.Conclusion / p47 (0028.jp2)
  22. References / p51 (0030.jp2)
  23. 4.InGaAsP/InP DFB Laser with QW active layer / p52 (0031.jp2)
  24. 4.1Introduction / p52 (0031.jp2)
  25. 4.2.Growth of InGaAs/InGaAsP QW structure / p52 (0031.jp2)
  26. 4.3.InGaAs/InGaAsP MQW-DFB laser / p56 (0033.jp2)
  27. 4.4.Conclusion / p64 (0037.jp2)
  28. References / p66 (0038.jp2)
  29. 5.Low Noise AlInAs/InGaAs HEMT Introduction / p67 (0038.jp2)
  30. 5.1.Introduction / p67 (0038.jp2)
  31. 5.2.Kink effect of AlInAs/InGaAs HEMT / p67 (0038.jp2)
  32. 5.3.AlInAs/InGaAs HEMT on InP with 0.15μm T-shaped gate / p77 (0043.jp2)
  33. References / p87 (0048.jp2)
  34. 6.A Super Low Noise AlInAs/InGaAs HEMT Processed by Selective Wet Gate Recess Etching / p88 (0049.jp2)
  35. 6.1.Introduction / p88 (0049.jp2)
  36. 6.2.Selective etching for gate recess formation / p88 (0049.jp2)
  37. 6.3.Device fabrication using selective recess etching / p89 (0049.jp2)
  38. 6.4.Device performances and analyses / p92 (0051.jp2)
  39. 6.5.Conclusions / p101 (0055.jp2)
  40. References / p102 (0056.jp2)
  41. 7.Degradation of AuGe/Ni/Au Ohmic Contacts and High Reliability of WSi Non-Alloyed Ohmic Contacts on AlInAs/InGaAs HEMT / p104 (0057.jp2)
  42. 7.1.Introduction / p104 (0057.jp2)
  43. 7.2.Experimental / p104 (0057.jp2)
  44. 7.3.Thermal degradation of AuGe/Ni/Au ohmic contact / p106 (0058.jp2)
  45. 7.4.Thermal stability of WSi ohmic contact and application to device / p111 (0060.jp2)
  46. 7.5.Conclusions / p115 (0062.jp2)
  47. References / p118 (0064.jp2)
  48. 8.Summary / p119 (0064.jp2)
  49. Acknowledgements / p124 (0067.jp2)
  50. List of publications / p125 (0067.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133233
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967798
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000297547
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ