窒化アルミニウムのLSIへの応用に関する研究

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著者

    • 岩瀬, 暢男 イワセ, ノブオ

書誌事項

タイトル

窒化アルミニウムのLSIへの応用に関する研究

著者名

岩瀬, 暢男

著者別名

イワセ, ノブオ

学位授与大学

法政大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第92号

学位授与年月日

1996-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 序章 / p3 (0004.jp2)
  3. 第1章 AlNセラミックスの材料特性 / p5 (0005.jp2)
  4. 1.1 高熱伝導セラミックスの条件 / p5 (0005.jp2)
  5. 1.2 AlNセラミックスの高熱伝導機構 / p6 (0006.jp2)
  6. 1.3 AlNセラミックスの材料特性 / p7 (0006.jp2)
  7. 1.4 まとめ / p8 (0007.jp2)
  8. 第2章 AlNセラミックスのLSIパッケージ化技術 / p10 (0008.jp2)
  9. 2.1 同時焼成多層配線パッケージ技術 / p10 (0008.jp2)
  10. 2.2 薄膜配線パッケージ技術 / p11 (0008.jp2)
  11. 2.3 厚膜配線技術 / p13 (0009.jp2)
  12. 2.4 レーザによる直接描画配線形成技術 / p19 (0012.jp2)
  13. 2.5 まとめ / p20 (0013.jp2)
  14. 第3章 AlNセラミックスによるLSIパッケージの低熱抵抗化 / p21 (0013.jp2)
  15. 3.1 パッケージ形状と熱抵抗 / p21 (0013.jp2)
  16. 3.2 キャビティアップ構造における低熱抵抗化 / p25 (0015.jp2)
  17. 3.3 まとめ / p28 (0017.jp2)
  18. 第4章 AlNセラミックによるLSIパッケージの高速動作化 / p30 (0018.jp2)
  19. 4.1 パッケージ高速動作の条件 / p30 (0018.jp2)
  20. 4.2 キャビティアップ構造による高速動作化 / p34 (0020.jp2)
  21. 4.3 めっき用配線の除去による高速動作化 / p35 (0020.jp2)
  22. 4.4 フリップチップ実装およびI/○ピンレス化による高速動作化 / p37 (0021.jp2)
  23. 4.5 まとめ / p39 (0022.jp2)
  24. 第5章 ピン配列の微細化によるパッケージの小型化技術(I/○ピンろう接技術) / p41 (0023.jp2)
  25. 5.1 ピンピッチの縮小による残留応力干渉 / p41 (0023.jp2)
  26. 5.2 I/○ピンのろう接技術 / p43 (0024.jp2)
  27. 5.3 ファインピッチ配線の線間絶縁抵抗とピン間絶縁抵抗の高信頼化 / p45 (0025.jp2)
  28. 5.4 まとめ / p46 (0026.jp2)
  29. 第6章 薄膜多層導体の接合メカニズムと導体層数低減化技術 / p48 (0027.jp2)
  30. 6.1 AlN/Ti接合界面反応 / p48 (0027.jp2)
  31. 6.2 AlN/Ti/Ni/Au構造の接合強度と信頼性 / p53 (0029.jp2)
  32. 6.3 Ti₂Nのバリア効果と薄膜導体層数低減 / p54 (0030.jp2)
  33. 6.4 まとめ / p56 (0031.jp2)
  34. 総轄 / p57 (0031.jp2)
  35. 引用文献 / p59 (0032.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133248
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967813
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000297562
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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