シリコン半導体素子の透過電子顕微鏡断面観察による結晶欠陥の解析・評価に関する研究

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Author

    • 青木, 茂 アオキ, シゲル

Bibliographic Information

Title

シリコン半導体素子の透過電子顕微鏡断面観察による結晶欠陥の解析・評価に関する研究

Author

青木, 茂

Author(Another name)

アオキ, シゲル

University

千葉工業大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

乙第4号

Degree year

1995-12-19

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第I部 概説 / p1 (0007.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1 シリコン(Si)半導体素子と微細化 / p1 (0007.jp2)
  5. 1.2 Si半導体素子における結晶欠陥と素子特性 / p1 (0007.jp2)
  6. 1.3 結晶欠陥並びに素子構造の観察法 / p2 (0008.jp2)
  7. 1.4 本研究の目的と概要 / p3 (0009.jp2)
  8. 文献 / p6 (0012.jp2)
  9. 第II部 試料作製 / p7 (0013.jp2)
  10. 第2章 透過電子顕微鏡(TEM)と断面TEM試料作製法 / p7 (0013.jp2)
  11. 2.1 TEMと像形成 / p7 (0013.jp2)
  12. 2.2 断面TEM試料の作製法 / p14 (0020.jp2)
  13. 2.3 エッチング装置による平面TEM試料作製 / p26 (0032.jp2)
  14. 2.4 結言 / p32 (0038.jp2)
  15. 文献 / p33 (0039.jp2)
  16. 第III部 応用 / p34 (0040.jp2)
  17. 第3章 Si半導体素子のTEM観察 / p34 (0040.jp2)
  18. 3.1 半導体素子の断面観察 / p34 (0040.jp2)
  19. 3.2 広領域薄膜試料による観察 / p58 (0064.jp2)
  20. 3.3 結言 / p63 (0069.jp2)
  21. 文献 / p64 (0070.jp2)
  22. 第4章 微細加工したSi結晶の酸化 / p65 (0071.jp2)
  23. 4.1 緒言 / p65 (0071.jp2)
  24. 4.2 実験 / p66 (0072.jp2)
  25. 4.3 Siの種々の形状に対する酸化 / p70 (0076.jp2)
  26. 4.4 考察 / p81 (0087.jp2)
  27. 4.5 結言 / p83 (0089.jp2)
  28. 文献 / p85 (0091.jp2)
  29. 第5章 Asイオン注入領域のSi結晶評価 / p87 (0093.jp2)
  30. 5.1 緒言 / p87 (0093.jp2)
  31. 5.2 イオン注入試料の作製 / p87 (0093.jp2)
  32. 5.3 イオン注入と損傷･再結晶化･格子欠陥 / p89 (0095.jp2)
  33. 5.4 結言 / p106 (0112.jp2)
  34. 文献 / p108 (0114.jp2)
  35. 第6章 Si結晶中のバルク型多重積層欠陥の微細構造 / p109 (0115.jp2)
  36. 6.1 緒言 / p109 (0115.jp2)
  37. 6.2 実験 / p110 (0116.jp2)
  38. 6.3 積層欠陥の種々の形態 / p110 (0116.jp2)
  39. 6.4 考察 / p115 (0121.jp2)
  40. 6.5 結言 / p118 (0124.jp2)
  41. 文献 / p119 (0125.jp2)
  42. 第7章 Si結晶中のバルク型積層欠陥の銅による形態変化 / p120 (0126.jp2)
  43. 7.1 緒言 / p120 (0126.jp2)
  44. 7.2 実験 / p120 (0126.jp2)
  45. 7.3 結果 / p121 (0127.jp2)
  46. 7.4 考察 / p128 (0134.jp2)
  47. 7.5 結言 / p130 (0136.jp2)
  48. 文献 / p132 (0138.jp2)
  49. 第8章 Si結晶中の酸素析出物の形態 / p133 (0139.jp2)
  50. 8.1 緒言 / p133 (0139.jp2)
  51. 8.2 実験 / p134 (0140.jp2)
  52. 8.3 酸素析出物の種々の形態 / p134 (0140.jp2)
  53. 8.4 考察 / p147 (0153.jp2)
  54. 8.5 結言 / p150 (0156.jp2)
  55. 文献 / p151 (0157.jp2)
  56. 第IV部 総括 / p152 (0158.jp2)
  57. 第9章 結論 / p152 (0158.jp2)
  58. 学位論文に関する発表論文 / p154 (0160.jp2)
  59. 謝辞 / p159 (0165.jp2)
4access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000133283
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000967848
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000297597
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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