半導体表面の鏡面加工

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著者

    • 森澤, 祐二 モリサワ, ユウジ

書誌事項

タイトル

半導体表面の鏡面加工

著者名

森澤, 祐二

著者別名

モリサワ, ユウジ

学位授与大学

茨城大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第9号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文要旨 / p1 (0003.jp2)
  2. 目次 / p8 (0007.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  4. 1.1 表面加工方法の種類 / p2 (0009.jp2)
  5. 1.2 加工表面の評価 / p7 (0011.jp2)
  6. 参考文献 / p12 (0014.jp2)
  7. 第2章 電子・光学部品材料の研削とラッピング / p14 (0015.jp2)
  8. 2.1 序言 / p14 (0015.jp2)
  9. 2.2 実験方法 / p15 (0015.jp2)
  10. 2.3 実験結果および考察 / p17 (0016.jp2)
  11. 2.4 結言 / p20 (0018.jp2)
  12. 参考文献 / p22 (0019.jp2)
  13. 第3章 シリコン表面の洗浄と表面粗さ / p36 (0026.jp2)
  14. 3.1 序言 / p36 (0026.jp2)
  15. 3.2 実験方法 / p38 (0027.jp2)
  16. 3.3 実験結果および考察 / p39 (0027.jp2)
  17. 3.4 結言 / p41 (0028.jp2)
  18. 参考文献 / p42 (0029.jp2)
  19. 第4章 化合物半導体の鏡面研磨 / p48 (0032.jp2)
  20. 4.1 序言 / p48 (0032.jp2)
  21. 4.2 コロイダルSiO₂とクエン酸の混合液によるInPおよびInSbウェーハの鏡面研磨 / p51 (0033.jp2)
  22. 4.3 NaOClとクエン酸を用いたInPの鏡面研磨 / p55 (0035.jp2)
  23. 4.4 NaOClとクエン酸にSiO₂砥粒を添加した研磨液によるInPの鏡面研磨 / p59 (0037.jp2)
  24. 4.5 まとめ / p62 (0039.jp2)
  25. 参考文献 / p63 (0039.jp2)
  26. 第5章 金属材料の電解砥粒研磨 / p78 (0047.jp2)
  27. 5.1 序言 / p78 (0047.jp2)
  28. 5.2 実験装置および方法 / p78 (0047.jp2)
  29. 5.3 実験結果および考察 / p79 (0047.jp2)
  30. 5.4 結言 / p85 (0050.jp2)
  31. 参考文献 / p86 (0051.jp2)
  32. 第6章 結論 / p99 (0057.jp2)
  33. 論文目録 / p103 (0059.jp2)
  34. 謝辞 / p104 (0060.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133342
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000967906
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000297656
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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