Electronic processes in Ge doped As[2]Se[3] glasses Ge添加As[2]Se[3]における電子過程

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著者

    • 北村, 通英 キタムラ, ミチヒデ

書誌事項

タイトル

Electronic processes in Ge doped As[2]Se[3] glasses

タイトル別名

Ge添加As[2]Se[3]における電子過程

著者名

北村, 通英

著者別名

キタムラ, ミチヒデ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

甲第183号

学位授与年月日

1983-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. TABLE OF CONTENTS / (0004.jp2)
  2. Abstract / (0003.jp2)
  3. §1.Introduction / p1 (0005.jp2)
  4. §2.Experimental and Results / p4 (0008.jp2)
  5. §3.Analysis and Discussion / p7 (0011.jp2)
  6. I)Optical processes / p7 (0011.jp2)
  7. II)Dark carrier transport processes / p14 (0018.jp2)
  8. III)Photocarrier transport processes / p16 (0020.jp2)
  9. §4.Summary / p26 (0030.jp2)
  10. Acknowledgements / p28 (0032.jp2)
  11. References / p29 (0033.jp2)
  12. Figure captions / p32 (0036.jp2)
  13. Figures / (0036.jp2)
  14. Tables / (0076.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133626
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000968181
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000297940
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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