Growth of ZnTe by metalorganic vapor phase epitaxy and analysis of its surface processes 有機金属気相エピタキシャル法によるテルル化亜鉛結晶の成長と表面プロセスの解析に関する研究

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著者

    • Syed Irfan Gheyas ソヨド イルファン ギヤス

書誌事項

タイトル

Growth of ZnTe by metalorganic vapor phase epitaxy and analysis of its surface processes

タイトル別名

有機金属気相エピタキシャル法によるテルル化亜鉛結晶の成長と表面プロセスの解析に関する研究

著者名

Syed Irfan Gheyas

著者別名

ソヨド イルファン ギヤス

学位授与大学

佐賀大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第51号

学位授与年月日

1996-03-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. ABSTRACT / (0002.jp2)
  2. TABLE OF CONTENTS / p6 (0008.jp2)
  3. LIST OF TABLES / p9 (0010.jp2)
  4. LIST OF FIGURES / p10 (0010.jp2)
  5. 1.INTRODUCTION / p1 (0013.jp2)
  6. 1.1 ZnTe and its properties / p1 (0013.jp2)
  7. 1.2 MOVPE-a promising technique for growing ZnTe / p7 (0016.jp2)
  8. 1.3 Synchrotron Radiation-a light source with great potential in science and technology / p12 (0019.jp2)
  9. 1.4 Literature review / p20 (0023.jp2)
  10. 1.5 Motivation of this work and the organization of the dissertation / p32 (0029.jp2)
  11. 1.6 References cited / p34 (0030.jp2)
  12. 2.GROWTH OF HIGH-QUALITY ZnTe LAYERS BY CONVENTIONAL MOVPE / p40 (0033.jp2)
  13. 2.1 Introduction / p40 (0033.jp2)
  14. 2.2 Experimental procedure / p41 (0034.jp2)
  15. 2.3 Results and discussion / p45 (0036.jp2)
  16. 2.4 Conclusions / p53 (0040.jp2)
  17. 2.5 References cited / p54 (0040.jp2)
  18. 3.PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF ZnTe LAYERS GROWN BY PHOTO-ASSISTED MOVPE / p55 (0041.jp2)
  19. 3.1 Introduction / p55 (0041.jp2)
  20. 3.2 Experimental procedure / p56 (0042.jp2)
  21. 3.3 Results / p58 (0043.jp2)
  22. 3.4 Discussions / p66 (0047.jp2)
  23. 3.5 Conclusions / p67 (0047.jp2)
  24. 3.6 References cited / p68 (0048.jp2)
  25. 4.n-TYPE ZnTe BY MOVPE USING TRIETHYLALUMINUM AS THE DOPANT SOURCE / p70 (0049.jp2)
  26. 4.1 Introduction / p70 (0049.jp2)
  27. 4.2 Experimental procedure / p71 (0050.jp2)
  28. 4.3 Results and discussion / p74 (0051.jp2)
  29. 4.4 Conclusions / p86 (0057.jp2)
  30. 4.5 References cited / p88 (0058.jp2)
  31. 5.SURFACE PROCESSES OF ALKYLZINC ON GaAs(100) / p91 (0060.jp2)
  32. 5.1 Introduction / p91 (0060.jp2)
  33. 5.2 Experimental procedure / p92 (0061.jp2)
  34. 5.3 Results / p98 (0064.jp2)
  35. 5.4 Discussions / p111 (0070.jp2)
  36. 5.5 Conclusions / p116 (0073.jp2)
  37. 5.6 References cited / p118 (0074.jp2)
  38. 6.SURFACE PROCESSES OF ALKYLTELLURIUM ON GaAs(100) / p121 (0075.jp2)
  39. 6.1 Introduction / p121 (0075.jp2)
  40. 6.2 Experimental procedure / p123 (0076.jp2)
  41. 6.3 Results and discussion / p124 (0077.jp2)
  42. 6.4 Conclusions / p138 (0084.jp2)
  43. 6.5 References cited / p140 (0085.jp2)
  44. 7.CONCLUSIONS / p142 (0086.jp2)
  45. APPENDIX 1 Important energy levels in ZnTe / p144 (0087.jp2)
  46. APPENDIX 2 Estimation of Ga 2p signal from perturbed and unperturbed GaAs(100)layers / p147 (0089.jp2)
  47. LIST OF PUBLICATIONS / p149 (0090.jp2)
  48. LIST OF CONFERENCES / p151 (0091.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133695
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000133966
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000298009
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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