LSI多層配線プロセスにおけるECRプラズマの応用に関する研究

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著者

    • 町田, 克之 マチダ, カツユキ

書誌事項

タイトル

LSI多層配線プロセスにおけるECRプラズマの応用に関する研究

著者名

町田, 克之

著者別名

マチダ, カツユキ

学位授与大学

九州工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第39号

学位授与年月日

1995-12-31

注記・抄録

博士論文

九州工業大学博士学位論文 学位記番号:工博乙第39号 学位授与年月日:平成7年12月31日

平成7年度

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的と位置づけ / p4 (0009.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成と概要 / p5 (0010.jp2)
  6. 参考文献 / p8 (0013.jp2)
  7. 第2章 バイアスECRプラズマ装置 / p13 (0018.jp2)
  8. 2.1 はじめに / p13 (0018.jp2)
  9. 2.2 バイアスECRプラズマの特徴 / p15 (0020.jp2)
  10. 2.3 MOS素子に与えたダメージの評価法とダメージのメカニズム / p17 (0022.jp2)
  11. 2.4 ダメージ低減のための装置構成 / p29 (0034.jp2)
  12. 2.5 本章のまとめ / p35 (0040.jp2)
  13. 参考文献 / p37 (0042.jp2)
  14. 第3章 バイアスECR法を用いた絶縁膜平坦化形成法 / p40 (0045.jp2)
  15. 3.1 はじめに / p40 (0045.jp2)
  16. 3.2 平坦化原理 / p40 (0045.jp2)
  17. 3.3 微細溝へのSiO₂埋め込み特性 / p43 (0048.jp2)
  18. 3.4 平坦化形成における基本特性 / p43 (0048.jp2)
  19. 3.5 AI配線層間絶縁膜の平坦化への摘要 / p49 (0054.jp2)
  20. 3.6 本章のまとめ / p50 (0055.jp2)
  21. 参考文献 / p51 (0056.jp2)
  22. 第4章 バイアスECR法の絶縁膜形成における酸素イオンの効果 / p53 (0058.jp2)
  23. 4.1 はじめに / p53 (0058.jp2)
  24. 4.2 酸素イオンによる選択エッチング特性 / p53 (0058.jp2)
  25. 4.3 微細穴部のSiO₂埋め込み特性と酸素イオンの効果 / p55 (0060.jp2)
  26. 4.4 選択エッチング現象と平坦化プロセス / p60 (0065.jp2)
  27. 4.5 本章のまとめ / p62 (0067.jp2)
  28. 参考文献 / p64 (0069.jp2)
  29. 第5章 層間膜プロセスの水分とECR酸化膜の水分阻止特性及び電気特性 / p66 (0071.jp2)
  30. 5.1 はじめに / p66 (0071.jp2)
  31. 5.2 ECR酸化膜の物理化学分析評価と水分阻止特性 / p67 (0072.jp2)
  32. 5.3 サブミクロン配線の高信頼性積層間膜の形成 / p78 (0083.jp2)
  33. 5.4 ECR酸化膜の電気特性 / p80 (0085.jp2)
  34. 5.5 MIM容量素子への応用 / p80 (0085.jp2)
  35. 5.6 本章のまとめ / p85 (0090.jp2)
  36. 参考文献 / p87 (0092.jp2)
  37. 第6章 ECRプラズマによる表面処理 / p89 (0094.jp2)
  38. 6.1 はじめに / p89 (0094.jp2)
  39. 6.2 窒化処理 / p90 (0095.jp2)
  40. 6.3 酸化処理 / p103 (0108.jp2)
  41. 6.4 本章のまとめ / p108 (0113.jp2)
  42. 参考文献 / p110 (0115.jp2)
  43. 第7章 結論 / p112 (0117.jp2)
  44. 7.1 結果の要約 / p112 (0117.jp2)
  45. 7.2 今後の課題と展望 / p114 (0119.jp2)
  46. 謝辞 / p115 (0120.jp2)
  47. 発表論文及び学会発表 / p116 (0121.jp2)
  48. SiO₂ planarization technology with biasing and electron cyclotron resonance plasma deposition for submicron interconnections / p818 (0135.jp2)
  49. Effect of oxygen ions on filling SiO₂ into holes using biased electron cyclotron resonance plasma deposition / p224 (0139.jp2)
  50. Improvement of Water-Related Hot-Carrier Reliability by Using ECR Plasma-SiO₂ / p709 (0143.jp2)
  51. Estimation of charge buildup during plasma processing by measuring metal-oxide thickness / p889 (0149.jp2)
  52. Characterization of thin SiN film formed with electron cyclotron resonance nitrogen plasma / p876 (0155.jp2)
  53. New taper-etching technology using oxygen ion plasma / p529 (0160.jp2)
  54. Silicidation using electron cyclotron resonance plasma / p1087 (0164.jp2)
  55. Measurements of Diffusion Coefficients of Water in Electron Cyclotron Resonance Plasma SiO₂ / L431 / (0168.jp2)
  56. Water trapping of point defects in interlayer SiO₂ films and its contribution to the reduction of hot-carrier degradation / p2365 (0171.jp2)
  57. Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O₃ Oxide and Water Blocking with ECR-SiO₂ Film / p1682 (0173.jp2)
  58. Silicon surface cleaning by oxidation with electron cyclotron resonance oxygen plasma after contact hole dry etching / p902 (0179.jp2)
  59. MOS Device Characteristics by Perfect Planar Technology / p249 (0185.jp2)
  60. New Planarization Technology Using Bias-ECR Plasma Deposition / p329 (0189.jp2)
  61. NEW BIAS SPUTTERING SYSTEM WITH HIGH THROUGHPUT,HIGH UNIFORMITY AND LOW DAMAGE / p35 (0194.jp2)
  62. A High Aspect Ratio and High Throughput SiO₂ Planarization Technology with Bias-ECR Plasma Deposition / p69 (0197.jp2)
  63. New Taper-Etching Technology Using Oxygen Ion Plasma / p213 (0199.jp2)
  64. Estimation Method for Charge Build-Up on Gate Oxide during Bias ECR Plasma Deposition / p553 (0204.jp2)
  65. Effect Magnet Coil Position on Charge Build-up during Bias ECR Plasma Deposition / p320 (0208.jp2)
  66. CHARACTERIZATION OF OXIDE CHARGE BUILD-UP DURING BIAS ECR PLASMA DEPOSITION / p138 (0211.jp2)
  67. Enhanced Hot-Carrier Degradation due to Water in TEOS/O₃-Oxide and Water Blocking Effect of ECR-SiO₂ / p94 (0214.jp2)
  68. WATER TRAPPING EFFECT OF POINT DEFECTS IN INTERLAYER PLASMA CVD SiO₂ FILMS / p331 (0217.jp2)
  69. WATER-BLOCKING MECHANISM OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMA-SiO₂ / p103 (0224.jp2)
  70. CHARACTERIZATION OF AN SiN DIFFUSION BARRIER FORMED WITH ECR NITROGEN PLASMA FOR POLYCIDE GATE ELECTRODE / p421 (0231.jp2)
  71. An Inexpensive Diffusion Barrier Technology for Polycide Gate Electrodes with an SiN Layer Formed with ECR Nitrogen Plasma / p422 (0239.jp2)
  72. Charge build-up reduction during biased electron cyclotron resonance plasma deposition / p1 (0242.jp2)
  73. Metal-insulator-metal capacitors by using electron cyclotron resonance plasma-SiO₂ / p1 (0246.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133888
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973084
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000298202
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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