有磁場低圧プラズマによるダイヤモンドの合成に関する研究

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著者

    • 鈴木, 準一 スズキ, ジュンイチ

書誌事項

タイトル

有磁場低圧プラズマによるダイヤモンドの合成に関する研究

著者名

鈴木, 準一

著者別名

スズキ, ジュンイチ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6931号

学位授与年月日

1996-03-28

注記・抄録

博士論文

12594

博士(工学)

1996-03-28

大阪大学

14401乙第06931号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 CVDによるダイヤモンド合成の歴史 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 CVDによるダイヤモンドの合成 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p8 (0009.jp2)
  6. 参考文献 / p11 (0010.jp2)
  7. 第2章 有磁場マイクロ波プラズマCVD装置 / p13 (0011.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p13 (0011.jp2)
  9. 2.2 マイクロ波プラズマCVD装置 / p13 (0011.jp2)
  10. 2.3 磁場中でのマイクロ波プラズマ / p14 (0012.jp2)
  11. 2.4 有磁場マイクロ波プラズマCVD装置 / p20 (0015.jp2)
  12. 2.5 結言 / p29 (0019.jp2)
  13. 参考文献 / p30 (0020.jp2)
  14. 第3章 有磁場マイクロ波プラズマによる低圧化でのダイヤモンド薄膜の合成 / p33 (0021.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p33 (0021.jp2)
  16. 3.2 膜の評価法 / p33 (0021.jp2)
  17. 3.3 10Torr以上の圧力でのCH₄/H₂系ガスによるダイヤモンド薄膜の合成 / p35 (0022.jp2)
  18. 3.4 低圧力領域での予備成膜実験と問題点 / p37 (0023.jp2)
  19. 3.5 1Torr以下の圧力領域でのダイヤモンド薄膜の合成 / p39 (0024.jp2)
  20. 3.6 CO/H₂による成膜のまとめ / p64 (0037.jp2)
  21. 3.7 結言 / p64 (0037.jp2)
  22. 参考文献 / p67 (0038.jp2)
  23. 第4章 低温成膜と大面積成膜 / p69 (0039.jp2)
  24. 4.1 緒言 / p69 (0039.jp2)
  25. 4.2 反応ガスの変更による低温成膜 / p69 (0039.jp2)
  26. 4.3 ECR-II型装置による大面積成膜 / p74 (0042.jp2)
  27. 4.4 結言 / p84 (0047.jp2)
  28. 参考文献 / p86 (0048.jp2)
  29. 第5章 工学的応用 / p87 (0048.jp2)
  30. 5.1 緒言 / p87 (0048.jp2)
  31. 5.2 アルミニウムへの成膜 / p87 (0048.jp2)
  32. 5.3 石英基板への成膜 / p87 (0048.jp2)
  33. 5.4 結言 / p89 (0049.jp2)
  34. 参考文献 / p90 (0050.jp2)
  35. 第6章 結論 / p91 (0050.jp2)
  36. 謝辞 / p96 (0053.jp2)
  37. 研究業績 / p97 (0053.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000133946
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000968255
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000298260
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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