Study of interfaces of insulator/Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor structures prepared by molecular beam deposition 分子線蒸着法により作成された絶縁物/Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体構造の界面の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Study of interfaces of insulator/Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor structures prepared by molecular beam deposition
- タイトル別名
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分子線蒸着法により作成された絶縁物/Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体構造の界面の研究
- 著者名
-
大山, 秀明
- 著者別名
-
オオヤマ, ヒデアキ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第6979号
- 学位授与年月日
-
1996-06-27
注記・抄録
博士論文
目次
- Abstract / p1 (0003.jp2)
- Contents / p3 (0005.jp2)
- Chapter 1 Introduction / p1 (0007.jp2)
- 1.1 Review of Interface Study of Insulator/III-V Compound Semiconductor Structures / p1 (0007.jp2)
- 1.2 Summary of Present Study / p5 (0011.jp2)
- Chapter 2 Structural Study of CaF₂,Al₂O₃/GaAs and Al₂O₃/InP by HEIS / p8 (0014.jp2)
- 2.1 Introduction / p8 (0014.jp2)
- 2.2 Physical Concepts of HEIS / p8 (0014.jp2)
- 2.3 Experimental Apparatus / p14 (0020.jp2)
- 2.4 HEIS Measurement / p17 (0023.jp2)
- 2.5 Calculation of Surface Peak Intensity / p23 (0029.jp2)
- 2.6 Sample Preparation / p40 (0046.jp2)
- 2.7 Results and Discusssion / p41 (0047.jp2)
- 2.8 Summary / p55 (0061.jp2)
- Chapter 3 Fabrication and Electrical Properties of Al₂O₃/InP-MIS Diode / p56 (0062.jp2)
- 3.1 Introduction / p56 (0062.jp2)
- 3.2 Sample Preparation / p56 (0062.jp2)
- 3.3 Characterization of Al₂O₃ / p59 (0065.jp2)
- 3.4 C-V and NSS measurements / p62 (0068.jp2)
- 3.5 Results and Discussion / p65 (0071.jp2)
- 3.6 Summary / p71 (0077.jp2)
- Chapter 4 Fabrication and Electrical Properties of InP-MISFET / p72 (0078.jp2)
- 4.1 Introduction / p72 (0078.jp2)
- 4.2 Fabrication of InP-MISFET / p72 (0078.jp2)
- 4.3 Results and Discussion / p74 (0080.jp2)
- 4.4 Summary / p76 (0082.jp2)
- Chapter 5 Conclusion / p77 (0083.jp2)
- Appendix A General Formalism in HIES / p79 (0085.jp2)
- A.1 Kinematics of HEIS / p79 (0085.jp2)
- A.2 Multiple Scattering Effect / p84 (0090.jp2)
- A.3 Particle Induced X-ray Emission(PIXE) / p86 (0092.jp2)
- References / p87 (0093.jp2)
- Acknowledgement / p91 (0097.jp2)
- Publications and Presentations / p92 (0098.jp2)
