三元化合物半導体の光デバイスへの応用

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著者

    • 田中, 克 タナカ, カツ

書誌事項

タイトル

三元化合物半導体の光デバイスへの応用

著者名

田中, 克

著者別名

タナカ, カツ

学位授与大学

東京農工大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

博工甲第128号

学位授与年月日

1996-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p4 (0007.jp2)
  3. 1.1 撮像、発光デバイスをめざして / p4 (0007.jp2)
  4. 1.2 三元化合物の物性(結晶構造、バンド構造、発光) / p6 (0009.jp2)
  5. 1.3 応用面から見た三元化合物半導体 / p18 (0021.jp2)
  6. 第2章 CulnSe₂光導電型撮像管 / p23 (0026.jp2)
  7. 2.1 はじめに / p23 (0026.jp2)
  8. 2.2 CulnSe₂の光学的、電気的特性 / p23 (0026.jp2)
  9. 2.3 阻止型構造 / p24 (0027.jp2)
  10. 2.4 ICB法による薄膜作製 / p26 (0029.jp2)
  11. 2.5 撮像評価 / p28 (0031.jp2)
  12. 2.6 結言 / p35 (0038.jp2)
  13. 第3章 CuAlS₂:Mn分散型EL素子 / p37 (0040.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p37 (0040.jp2)
  15. 3.2 CuAlS₂:Mnの光学的、電気的特性 / p37 (0040.jp2)
  16. 3.3 ヨウ素輸送法によるCuAlS₂:Mn単結晶成長 / p38 (0041.jp2)
  17. 3.4 単結晶エレクトロルミネッセンス / p39 (0042.jp2)
  18. 3.5 結言(1) / p50 (0053.jp2)
  19. 3.6 有機分散型EL素子 / p51 (0054.jp2)
  20. 3.7 EL素子評価(1) / p52 (0055.jp2)
  21. 3.8 ZnSバッファー層の形成 / p52 (0055.jp2)
  22. 3.9 EL素子評価(2) / p54 (0057.jp2)
  23. 3.10 結言(2) / p60 (0063.jp2)
  24. 第4章 SrGa₂S₄:Ce単結晶作製と光学的評価 / p62 (0065.jp2)
  25. 4.1 はじめに / p62 (0065.jp2)
  26. 4.2 ヨウ素輸送法によるSrGa₂S₄:Ce単結晶成長 / p63 (0066.jp2)
  27. 4.3 偏光フォトルミネッセンス(PL)と光学的評価 / p66 (0069.jp2)
  28. 4.4 ウィグナーエッカート定理による偏光PLの理論解析 / p69 (0072.jp2)
  29. 4.5 結言 / p73 (0076.jp2)
  30. 第5章 MBE法によるSrGa₂S₄:Ce蛍光体薄膜の作製 / p75 (0078.jp2)
  31. 5.1 はじめに / p75 (0078.jp2)
  32. 5.2 従来の薄膜EL材料とSrGa₂S₄:Ce / p76 (0079.jp2)
  33. 5.3 従来のEL薄膜作製法 / p78 (0081.jp2)
  34. 5.4 MBE法によるSrGa₂S₄:Ce薄膜作製 / p79 (0082.jp2)
  35. 5.5 SrGa₂S₄:Ce薄膜の膜質評価とPL特性 / p80 (0083.jp2)
  36. 5.6 結言 / p85 (0088.jp2)
  37. 第6章 結論 / p87 (0090.jp2)
  38. 謝辞 / p88 (0091.jp2)
  39. 付録 チオガレート中のCe³⁻発光の遷移確率計算 / p89 (0092.jp2)
  40. 発表論文一覧 / p100 (0103.jp2)
  41. 論文要旨 / p3 (0006.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134547
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973646
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000298861
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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