三元化合物半導体の光デバイスへの応用
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
三元化合物半導体の光デバイスへの応用
- 著者名
-
田中, 克
- 著者別名
-
タナカ, カツ
- 学位授与大学
-
東京農工大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
博工甲第128号
- 学位授与年月日
-
1996-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p4 (0007.jp2)
- 1.1 撮像､発光デバイスをめざして / p4 (0007.jp2)
- 1.2 三元化合物の物性(結晶構造､バンド構造､発光) / p6 (0009.jp2)
- 1.3 応用面から見た三元化合物半導体 / p18 (0021.jp2)
- 第2章 CulnSe₂光導電型撮像管 / p23 (0026.jp2)
- 2.1 はじめに / p23 (0026.jp2)
- 2.2 CulnSe₂の光学的､電気的特性 / p23 (0026.jp2)
- 2.3 阻止型構造 / p24 (0027.jp2)
- 2.4 ICB法による薄膜作製 / p26 (0029.jp2)
- 2.5 撮像評価 / p28 (0031.jp2)
- 2.6 結言 / p35 (0038.jp2)
- 第3章 CuAlS₂:Mn分散型EL素子 / p37 (0040.jp2)
- 3.1 はじめに / p37 (0040.jp2)
- 3.2 CuAlS₂:Mnの光学的､電気的特性 / p37 (0040.jp2)
- 3.3 ヨウ素輸送法によるCuAlS₂:Mn単結晶成長 / p38 (0041.jp2)
- 3.4 単結晶エレクトロルミネッセンス / p39 (0042.jp2)
- 3.5 結言(1) / p50 (0053.jp2)
- 3.6 有機分散型EL素子 / p51 (0054.jp2)
- 3.7 EL素子評価(1) / p52 (0055.jp2)
- 3.8 ZnSバッファー層の形成 / p52 (0055.jp2)
- 3.9 EL素子評価(2) / p54 (0057.jp2)
- 3.10 結言(2) / p60 (0063.jp2)
- 第4章 SrGa₂S₄:Ce単結晶作製と光学的評価 / p62 (0065.jp2)
- 4.1 はじめに / p62 (0065.jp2)
- 4.2 ヨウ素輸送法によるSrGa₂S₄:Ce単結晶成長 / p63 (0066.jp2)
- 4.3 偏光フォトルミネッセンス(PL)と光学的評価 / p66 (0069.jp2)
- 4.4 ウィグナーエッカート定理による偏光PLの理論解析 / p69 (0072.jp2)
- 4.5 結言 / p73 (0076.jp2)
- 第5章 MBE法によるSrGa₂S₄:Ce蛍光体薄膜の作製 / p75 (0078.jp2)
- 5.1 はじめに / p75 (0078.jp2)
- 5.2 従来の薄膜EL材料とSrGa₂S₄:Ce / p76 (0079.jp2)
- 5.3 従来のEL薄膜作製法 / p78 (0081.jp2)
- 5.4 MBE法によるSrGa₂S₄:Ce薄膜作製 / p79 (0082.jp2)
- 5.5 SrGa₂S₄:Ce薄膜の膜質評価とPL特性 / p80 (0083.jp2)
- 5.6 結言 / p85 (0088.jp2)
- 第6章 結論 / p87 (0090.jp2)
- 謝辞 / p88 (0091.jp2)
- 付録 チオガレート中のCe³⁻発光の遷移確率計算 / p89 (0092.jp2)
- 発表論文一覧 / p100 (0103.jp2)
- 論文要旨 / p3 (0006.jp2)