不純物を添加した砒化ガリウムの熱処理挙動の研究

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著者

    • 渡邊, 武人 ワタナベ, タケト

書誌事項

タイトル

不純物を添加した砒化ガリウムの熱処理挙動の研究

著者名

渡邊, 武人

著者別名

ワタナベ, タケト

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第5464号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 概説 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 GaAs中の不純物及び点欠陥に関する従来の研究 / p3 (0007.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p19 (0023.jp2)
  6. 第2章 実験方法 / p22 (0026.jp2)
  7. 2.1 結晶育成法 / p22 (0026.jp2)
  8. 2.2 試料 / p27 (0031.jp2)
  9. 2.3 熱処理法 / p28 (0032.jp2)
  10. 2.4 ホール効果測定法 / p29 (0033.jp2)
  11. 2.5 陽電子寿命測定法 / p30 (0034.jp2)
  12. 2.6 フォトルミネッセンス測定法 / p35 (0039.jp2)
  13. 第3章 育成結晶 / p41 (0045.jp2)
  14. 3.1 結晶の外形 / p41 (0045.jp2)
  15. 3.2 結晶中のGe濃度 / p45 (0049.jp2)
  16. 3.3 キャリア濃度 / p46 (0050.jp2)
  17. 第4章 キャリア濃度の測定結果及び解釈 / p49 (0053.jp2)
  18. 4.1 キャリア濃度の測定結果 / p49 (0053.jp2)
  19. 4.1 IV族原子による占有するサイトの違い / p54 (0058.jp2)
  20. 第5章 陽電子消滅法の測定結果及び解釈 / p56 (0060.jp2)
  21. 5.1 Zn、Te及びGeドープGaAsのフェルミレベルの位置 / p56 (0060.jp2)
  22. 5.2 Zn及びTeドープGaAsの陽電子寿命 / p58 (0062.jp2)
  23. 5.3 GeドープGaAsの陽電子寿命 / p59 (0063.jp2)
  24. 第6章 フォトルミネッセンス測定結果及び解釈 / p63 (0067.jp2)
  25. 6.1 配位座標モデル / p64 (0068.jp2)
  26. 6.2 ドナー・アクセプターペアに起因する発光線 / p67 (0071.jp2)
  27. 6.3 補償の大きな結晶で見出される発光線 / p69 (0073.jp2)
  28. 6.4 PLスペクトル(浅い準位からの発光) / p72 (0076.jp2)
  29. 6.5 PLスペクトル(深い準位からの発光) / p90 (0094.jp2)
  30. 6.6 励起スペクトル / p113 (0117.jp2)
  31. 第7章 結論 / p120 (0124.jp2)
  32. 謝辞 / p122 (0126.jp2)
  33. 参考文献 / p123 (0127.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134714
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973804
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299028
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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