不純物を添加した砒化ガリウムの熱処理挙動の研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
不純物を添加した砒化ガリウムの熱処理挙動の研究
- Author
-
渡邊, 武人
- Author(Another name)
-
ワタナベ, タケト
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
博士 (理学)
- Grant ID
-
甲第5464号
- Degree year
-
1996-03-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 概説 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 GaAs中の不純物及び点欠陥に関する従来の研究 / p3 (0007.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p19 (0023.jp2)
- 第2章 実験方法 / p22 (0026.jp2)
- 2.1 結晶育成法 / p22 (0026.jp2)
- 2.2 試料 / p27 (0031.jp2)
- 2.3 熱処理法 / p28 (0032.jp2)
- 2.4 ホール効果測定法 / p29 (0033.jp2)
- 2.5 陽電子寿命測定法 / p30 (0034.jp2)
- 2.6 フォトルミネッセンス測定法 / p35 (0039.jp2)
- 第3章 育成結晶 / p41 (0045.jp2)
- 3.1 結晶の外形 / p41 (0045.jp2)
- 3.2 結晶中のGe濃度 / p45 (0049.jp2)
- 3.3 キャリア濃度 / p46 (0050.jp2)
- 第4章 キャリア濃度の測定結果及び解釈 / p49 (0053.jp2)
- 4.1 キャリア濃度の測定結果 / p49 (0053.jp2)
- 4.1 IV族原子による占有するサイトの違い / p54 (0058.jp2)
- 第5章 陽電子消滅法の測定結果及び解釈 / p56 (0060.jp2)
- 5.1 Zn､Te及びGeドープGaAsのフェルミレベルの位置 / p56 (0060.jp2)
- 5.2 Zn及びTeドープGaAsの陽電子寿命 / p58 (0062.jp2)
- 5.3 GeドープGaAsの陽電子寿命 / p59 (0063.jp2)
- 第6章 フォトルミネッセンス測定結果及び解釈 / p63 (0067.jp2)
- 6.1 配位座標モデル / p64 (0068.jp2)
- 6.2 ドナー･アクセプターペアに起因する発光線 / p67 (0071.jp2)
- 6.3 補償の大きな結晶で見出される発光線 / p69 (0073.jp2)
- 6.4 PLスペクトル(浅い準位からの発光) / p72 (0076.jp2)
- 6.5 PLスペクトル(深い準位からの発光) / p90 (0094.jp2)
- 6.6 励起スペクトル / p113 (0117.jp2)
- 第7章 結論 / p120 (0124.jp2)
- 謝辞 / p122 (0126.jp2)
- 参考文献 / p123 (0127.jp2)
