超高真空走査型プローブ顕微鏡によるナノマシーニングに関する研究

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Author

    • 小野, 崇人 オノ, タカヒト

Bibliographic Information

Title

超高真空走査型プローブ顕微鏡によるナノマシーニングに関する研究

Author

小野, 崇人

Author(Another name)

オノ, タカヒト

University

東北大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

甲第5592号

Degree year

1996-03-26

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 参考文献 / p5 (0011.jp2)
  4. 第2章 赤外分光法とその場観察法 / p6 (0012.jp2)
  5. 2.1 まえがき / p6 (0012.jp2)
  6. 2.2 高感度反射法の測定原理 / p6 (0012.jp2)
  7. 2.3 内部多重反射法の原理 / p9 (0015.jp2)
  8. 2.4 赤外偏光変調法について / p12 (0018.jp2)
  9. 2.5 高感度反射赤外分光用偏光変調器の作製 / p14 (0020.jp2)
  10. 2.6 変調偏光子の偏光特性 / p19 (0025.jp2)
  11. 2.7 偏光変調高感度反射測定 / p22 (0028.jp2)
  12. 2.8 まとめ / p25 (0031.jp2)
  13. 参考文献 / p26 (0032.jp2)
  14. 第3章 SPMによるリソグラフィの基礎理論 / p27 (0033.jp2)
  15. 3.1 まえがき / p27 (0033.jp2)
  16. 3.2 STMの測定原理 / p28 (0034.jp2)
  17. 3.3 AFMの測定原理 / p29 (0035.jp2)
  18. 3.4 SPM修飾時における基礎物理 / p29 (0035.jp2)
  19. 3.5 SPMによる表面修飾の諸方法 / p31 (0037.jp2)
  20. 3.6 原子と分子間に働く力 / p33 (0039.jp2)
  21. 3.7 探針-表面相互作用 / p34 (0040.jp2)
  22. 3.8 STM探針形状･材質の加工に及ぼす影響 / p36 (0042.jp2)
  23. 3.9 STM加工におけるトンネル方程式 / p37 (0043.jp2)
  24. 3.10 イメージポテンシャルを考慮したトンネリング / p43 (0049.jp2)
  25. 3.11 2つの近接した電極間の電界による原子の移動 / p44 (0050.jp2)
  26. 3.12 電流分布 / p48 (0054.jp2)
  27. 3.13 SPM表面修飾と電界強度 / p49 (0055.jp2)
  28. 3.14 SPMによる熱励起 / p50 (0056.jp2)
  29. 3.15 まとめ / p52 (0058.jp2)
  30. 参考文献 / p53 (0059.jp2)
  31. 4章 ナノマシーニングのためのUHV-SPM(AFM/STM)システム / p55 (0061.jp2)
  32. 4.1 超高真空装置の特徴 / p55 (0061.jp2)
  33. 4.2 Si清浄表面の作製方法 / p55 (0061.jp2)
  34. 4.3 UHV-SPMシステムの構成 / p55 (0061.jp2)
  35. 4.4 STM探針の作製方法 / p56 (0062.jp2)
  36. 参考文献 / p58 (0064.jp2)
  37. 第5章 STMを用いたSi表面上の水素の操作とAlの選択成長 / p59 (0065.jp2)
  38. 5.1 まえがき / p59 (0065.jp2)
  39. 5.2 水素終端面の形成方法 / p60 (0066.jp2)
  40. 5.3 SIMによるSi(100)表面からの水素の脱離 / p61 (0067.jp2)
  41. 5.4 1原子層レジストによるAl膜の選択成長 / p65 (0071.jp2)
  42. 5.5 Pd探針を用いた水素の吸着と脱離 / p66 (0072.jp2)
  43. 5.6 STMによる水素吸着とAlの選択成長 / p71 (0077.jp2)
  44. 5.7 まとめ / p74 (0080.jp2)
  45. 参考文献 / p75 (0081.jp2)
  46. 第6章 原子層･分子層の表面親水性･疎水性制御による微細加工 / p78 (0084.jp2)
  47. 6.1 まえがき / p78 (0084.jp2)
  48. 6.2 基板処理と表面特性 / p79 (0085.jp2)
  49. 6.3 選択成長の実験装置および方法 / p81 (0087.jp2)
  50. 6.4 選択成長実験結果 / p83 (0089.jp2)
  51. 6.5 水素終端Siのエキシマランプによるパターン転写とSiO₂の選択成長 / p88 (0094.jp2)
  52. 6.6 STMによるSi水素終端面の描画とSiO₂の選択成長 / p90 (0096.jp2)
  53. 6.7 1分子層レジストによるSiO₂膜のHFベーパー選択エッチング / p96 (0102.jp2)
  54. 6.8 まとめ / p96 (0102.jp2)
  55. 参考文献 / p97 (0103.jp2)
  56. 第7章 LB膜のSPMによる微細加工と応用 / p98 (0104.jp2)
  57. 7.1 はじめに / p98 (0104.jp2)
  58. 7.2 LB膜の作製方法 / p99 (0105.jp2)
  59. 7.3 SPMによるLB膜の修飾 / p101 (0107.jp2)
  60. 7.4 SPMよるLB膜の修飾のメカニズムについて / p108 (0114.jp2)
  61. 7.5 LB膜のパターニングとSiO₂の選択成長 / p114 (0120.jp2)
  62. 7.6 LB膜のパターニングとSiO₂の選択エッチング / p114 (0120.jp2)
  63. 7.7 まとめ / p119 (0125.jp2)
  64. 参考文献 / p120 (0126.jp2)
  65. 第8章 SPMを用いたナノ細線の成長 / p121 (0127.jp2)
  66. 8.1 まえがき / p121 (0127.jp2)
  67. 8.2 電界蒸発の活性化エネルギーと融点との関係 / p122 (0128.jp2)
  68. 8.3 電界蒸発の活性化エネルギー / p123 (0129.jp2)
  69. 8.4 実験方法 / p126 (0132.jp2)
  70. 8.5 Auの探針から表面への電界放出による堆積 / p126 (0132.jp2)
  71. 8.6 Siナノ紬線の成長 / p128 (0134.jp2)
  72. 8.7 SPM探針作製への応用 / p135 (0141.jp2)
  73. 8.8 ナノ細線成長のメカニズムに関する考察 / p138 (0144.jp2)
  74. 8.9 まとめ / p146 (0152.jp2)
  75. 参考文献 / p147 (0153.jp2)
  76. 第9章 結論および将来展望 / p148 (0154.jp2)
  77. 参考文献 / p149 (0155.jp2)
  78. APPENDIX A Langmuirの理論 / p151 (0157.jp2)
  79. APPENDIX B BET吸着理論 / p152 (0158.jp2)
  80. APPENDIX C 核生成の熱力学理論 / p153 (0159.jp2)
3access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000134842
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000973924
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000299156
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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