モンテカルロ法による軟磁性薄膜のマイクロ磁化機構の研究

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著者

    • 丹, 健二 タン, ケンジ

書誌事項

タイトル

モンテカルロ法による軟磁性薄膜のマイクロ磁化機構の研究

著者名

丹, 健二

著者別名

タン, ケンジ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5615号

学位授与年月日

1996-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 第一章 序論 / p1 (0006.jp2)
  2. 1.1 磁気記録の高密度化 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.2 マイクロマグネティックシミュレーションの必要性 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.3 モンテカルロ法 / p2 (0007.jp2)
  5. 1.4 構成 / p2 (0007.jp2)
  6. 第二章 計算手法 / p4 (0009.jp2)
  7. 2.1 マイクロマグネティクス研究の歴史 / p4 (0009.jp2)
  8. 2.2 従来の計算手法の問題点 / p4 (0009.jp2)
  9. 2.3 モンテカルロシミュレーション / p8 (0013.jp2)
  10. 2.4 静磁エネルギーの過大評価について / p19 (0024.jp2)
  11. 第三章 磁壁エネルギーの計算 / p23 (0028.jp2)
  12. 3.1 磁壁構造の計算機シミュレーション / p23 (0028.jp2)
  13. 3.2 磁壁エネルギーの計算方法 / p24 (0029.jp2)
  14. 3.3 計算結果 / p29 (0034.jp2)
  15. 第四章 磁区構造シミュレーション / p58 (0063.jp2)
  16. 4.1 乱数の違いによる結果の比較 / p58 (0063.jp2)
  17. 4.2 180度磁壁の膜厚依存性 / p60 (0065.jp2)
  18. 4.3 磁区構造の磁気異方性定数依存性 / p65 (0070.jp2)
  19. 4.4 アスペクト比による単磁区化 / p71 (0076.jp2)
  20. 4.5 一様磁界による磁区構造変化 / p75 (0080.jp2)
  21. 第五章 磁気抵抗効果型ヘッドのシミュレーション / p77 (0082.jp2)
  22. 5.1 磁気抵抗薄膜シミュレーションの特徴 / p77 (0082.jp2)
  23. 5.2 一様磁界による磁化状態変化 / p77 (0082.jp2)
  24. 5.3 媒体からの漏れ磁束による磁化状態変化 / p83 (0088.jp2)
  25. 第六章 結論 / p87 (0092.jp2)
  26. 6.1 本研究の総括 / p87 (0092.jp2)
  27. 6.2 総合結論 / p89 (0094.jp2)
  28. 6.3 今後の展望 / p89 (0094.jp2)
  29. 6.4 今後の課題 / p89 (0094.jp2)
  30. 謝辞 / p91 (0096.jp2)
  31. 文献 / p92 (0097.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000134865
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000973946
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000299179
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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